書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)

編號(hào)：JFSJ-21-041

作者：炬豐科技

摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)電源開關(guān)的能力是 GaN 電源 IC 的一大優(yōu)勢(shì)，例如圖 1(a) 。由于GaN層可以在不同的襯底上生長(zhǎng)，早期的工作中采用了一些絕緣材料，如藍(lán)寶石和碳化硅。然而，從早期的努力中可以明顯看出，GaN-on-Si 將實(shí)現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)。由于硅是一種導(dǎo)電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰(zhàn)。

第一個(gè)具有 GaN FET、GaN 模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關(guān) v 和半橋 vi 格式推出，如圖 2 所示。

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未來 5 年 GaN 預(yù)測(cè)的最大市場(chǎng)是移動(dòng)快速充電，預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。

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