《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》清除化學(xué)雜質(zhì)技術(shù)工藝
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》
文章:清除化學(xué)雜質(zhì)技術(shù)工藝
編號(hào):JFKJ-21-171
作者:炬豐科技
襯底制備 ?
? 清除化學(xué)雜質(zhì)和顆粒,加熱解吸水,并進(jìn)行處理與附著力促進(jìn)劑一起制備的都是用于抗蝕涂層的基材。以下幾節(jié)中所描述的這些措施對(duì)所有的litho工藝都不是絕對(duì)必要的。?每一個(gè)步驟應(yīng)該考慮到每一個(gè)單獨(dú)的過(guò)程,如果必要,調(diào)整。
?清洗襯底 ?
? 吸附水對(duì)于清潔的基材,建議在大約。?120℃解吸幾分鐘通常吸附在接觸空氣濕度的表面上的水分子。?這一步,原則上是可以的跳過(guò),如果底物已經(jīng)在此之前立即用異丙醇或異丙醇清洗在另一個(gè)工藝步驟加熱到100°C以上。為了最大限度地與氧化表面(天然或熱氧化的硅、石英、玻璃、大多數(shù)金屬)附著力,烘烤溫度可以提高到140°C以上。?在這個(gè)過(guò)程中,氫氧鍵通常呈現(xiàn)在氧化表面暴露在空氣潮濕中一段時(shí)間后,則呈現(xiàn)破碎、疏水的特性從而使抗蝕劑的潤(rùn)濕性和附著力進(jìn)一步增加。根據(jù)相對(duì)濕度和基材的量,水膜能再次吸附在上面基材表面經(jīng)過(guò)短時(shí)間處理后。?因此,應(yīng)進(jìn)行后續(xù)的抗蝕涂層在烘烤后盡快,但不能在基材冷卻到室溫之前。
有機(jī)雜質(zhì)?????略
食人魚(yú)蝕刻和RCA清洗????略
附著力促進(jìn)劑?????略
抗蝕劑附著的特殊問(wèn)題???略
抗粘著力和接觸角的測(cè)量???略