書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：TSV后蝕刻清洗工藝

編號(hào)：JFKJ-21-173

作者：炬豐科技

?關(guān)鍵詞:無(wú)損傷，含氟聚合物殘留，高縱橫比，Megasonic清洗，TSV清洗 ?

摘要 ?

? 本文采用了空間交替相移超音波技術(shù)用于蝕刻后TSV晶片的清洗過(guò)程。?SAPS技術(shù)提供統(tǒng)一的聲波在整個(gè)晶圓片的每一點(diǎn)上的能量，是通過(guò)在晶圓片之間的間隙中產(chǎn)生的超音波的交替相位來(lái)實(shí)現(xiàn)的超音波器件及晶圓。?實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證提供了物理分析和電氣測(cè)試。?掃描電鏡用EDX檢測(cè)含氟聚合物殘留的存在。

介紹 ?

? 通過(guò)硅通道器件是增加3D芯片封裝的關(guān)鍵因素密度和改進(jìn)的器件性能。蝕刻是一個(gè)典型的反應(yīng)離子蝕刻過(guò)程產(chǎn)生高縱橫比通過(guò)tsv(10:1或20:1的深徑比)。?RIE工藝用于制造tsv要求快速變換各向同性等離子體蝕刻和氟碳聚合物沉積步驟，導(dǎo)致孔道側(cè)壁有含氟聚合物蝕刻殘留物。?

實(shí)驗(yàn) ?

? 本研究將空間交替相移超音波技術(shù)應(yīng)用于井壁TSV腐蝕后清洗時(shí)清除殘留。?SAPS技術(shù)提供均勻的聲波能量通過(guò)在晶圓表面的間隙中交替超音波的相位來(lái)實(shí)現(xiàn)超音波換能器和晶片。?清除殘留物的化學(xué)自由基在稀釋溶液，以超音波能量促進(jìn)。?此外，氣泡的機(jī)械力 在大聲速攪拌過(guò)程中產(chǎn)生的空化現(xiàn)象提高了傳質(zhì)速率，改善了傳質(zhì)性能在清洗過(guò)程中，除渣效率。與常規(guī)濕法相比清潔方法中，SAPS megasonic技術(shù)表現(xiàn)出較高的除渣效率和較低的 高縱橫比通孔的材料損耗。?

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結(jié)論 ?

? 本文介紹了一種應(yīng)用于后刻蝕TSV晶片的SAPS清洗技術(shù)提出了。?從實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看，SAPS技術(shù)提供了均勻的超音波并具有顯著的TSV殘余去除能力。 ?

? 結(jié)果表明，TSV晶片經(jīng)過(guò)SAPS清洗后表現(xiàn)出明顯的電性與傳統(tǒng)的單晶片噴霧清洗相比，性能顯著提高的方法。 ?

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結(jié)論 ?

? 本文介紹了一種應(yīng)用于后刻蝕TSV晶片的SAPS清洗技術(shù)提出了。?從實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看，SAPS技術(shù)提供了均勻的超音波并具有顯著的TSV殘余去除能力。???略