書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：低溫度溶液中高速蝕刻硅

編號：JFKJ-21-175

作者：炬豐科技

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摘要

? 在制造復雜的MEMS慣性傳感器的過程中，有許多情況下金屬化不能用通常的方法來實現(xiàn) 如剝離或傳統(tǒng)的金屬蝕刻。?在這種情況下，需要使用陰影遮罩。?通過制作，可以實現(xiàn)硅蔭罩。?通過在器件區(qū)域制造腔體，這也可以用作覆蓋晶圓，用于晶圓級封裝。?采用氫氧化鉀+羥胺雙面濕各向異性刻蝕法制備了蔭罩溶液在50-60℃的低溫下。?為了減少熱氧化物的蝕刻，最好選擇較低的蝕刻溫度用作蒙版層。?本工作重點研究了KOH + NH2OH溶液在低溫下的蝕刻速率特性，含硅氧化層的切割、表面形貌和選擇性。?這是非常有用的貫穿孔蝕刻用硅用二氧化二氮做面膜。?本文還研究了老化對這些特性的影響，這對連續(xù)蝕刻的擴散是有用的特別是在試生產(chǎn)期間。?結果與純KOH溶液的結果進行了比較。 ?

簡介

? 在復雜MEMS慣性制造中傳感器，在許多情況下，金屬化不能用通常的模式方法如起飛或傳統(tǒng)金屬腐蝕。?在這種情況下，就有必要制造一個陰影用于傳感器最終金屬化的掩模。?在硅中使用深度反應離子蝕刻的陰影掩膜法是非常復雜的，因為這需要使用支撐晶片來防止氦冷卻劑泄漏。?支撐晶片需要粘接在加工晶圓片上使用冷卻油脂或其他方法。這使整個過程更加復雜增加了制造過程中涉及的步驟數(shù)影子的面具。?由于這些原因，濕法蝕刻路線是首選用于遮蔽罩法布里陽離子的硅透孔蝕刻。為了將蝕刻時間縮短到原來的一半，濕法蝕刻是在硅晶圓的兩側經(jīng)過精確的背面后，按進行的掩模模式的對齊。?這也有助于氧化罩涂層能承受長時間的蝕刻。?然而,濕蝕刻有它自己的局限性，例如任意的結構無法組裝的垂直側壁。氫氧化鉀和氫四甲基銨是最常用的濕各向異性蝕刻劑用于MEMS中的濕塊微加工。???略

實驗數(shù)據(jù) ??略

結果與討論???略

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