書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：晶圓清洗機(jī)制

編號：JFKJ-21-336

作者：炬豐科技

摘要

? 提供了與清洗晶片的機(jī)構(gòu)相關(guān)的實(shí)施例，提供了一種清洗晶片的方法，其具有濕式臺架清洗操作，該方法還提供其后的單個(gè)晶片清洗，以及用于提高該方法的性能的清洗設(shè)備。

?

發(fā)明描述

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于晶片清潔的機(jī)構(gòu)。

? 半導(dǎo)體集成電路 (IC) 行業(yè)經(jīng)歷了快速增長。IC 材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步催生了一代 IC，每個(gè) IC 的電路都比上一代 IC 更小、更復(fù)雜。但是，這些技術(shù)進(jìn)步增加了加工和制造的復(fù)雜性，而要實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)步，需要在 IC 加工和制造方面進(jìn)行類似的發(fā)展。在 IC 演進(jìn)過程中，功能密度（即每芯片面積的互連器件數(shù)量）已普遍增加和幾何尺寸（即，可以使用制造工藝生產(chǎn)的最小部件（或線））一直在減小。這種按比例縮小的工藝通常受益于提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本。提供它們。

需要解決的問題

? 半導(dǎo)體制造中的一個(gè)重要條件是晶圓加工表面沒有污染物，因?yàn)槲廴疚?，例如?xì)顆粒，會干擾后續(xù)加工步驟并對它們產(chǎn)生不利影響并導(dǎo)致器件退化，最終導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓處理。清洗工藝一直是半導(dǎo)體晶圓制造過程中的重要步驟，但超潔凈晶圓對于器件完整性的重要性越來越高，例如，隨著半導(dǎo)體特征尺寸的減小，顆粒污染的不利影響是隨著它的增加，去除更小的顆粒變得必要。此外，隨著器件層數(shù)的增加，顆粒污染導(dǎo)致器件退化的可能性和清潔步驟的數(shù)量也相應(yīng)增加。ULSI和VLSI足以滿足超清潔晶圓的要求在，晶片表面需要基本上沒有污染物。

發(fā)明詳述

? 下面 對本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施和使用進(jìn)行了詳細(xì)描述，但是，本發(fā)明實(shí)施例是在廣泛的特定環(huán)境中描述的，在特定環(huán)境中描述的具體實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，并限制了本發(fā)明的范圍目前的披露。