書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氫氧化銨在RCA中清潔工藝

編號：JFKJ-21-268

作者：炬豐科技

蝕刻 ?

腐蝕的定義?

.各向同性蝕刻:各方向相同 ?

各向異性蝕刻:方向敏感 ?

選擇性:兩種材料之間的蝕刻速率差異 ?

.對掩蔽材料需要很強(qiáng)的選擇性(例如。光刻膠) ?

對蝕刻層以下的其他層也有良好的選擇性 ?

蝕刻的兩種主要類型 ?

基本的濕蝕刻工藝

速率限制步驟 ?

.速率限制:最慢的步驟 ?

.擴(kuò)散受限:反應(yīng)物/產(chǎn)品受控 ?

.活化受限:表面反應(yīng)受控??

典型濕法蝕刻工藝

用于濕蝕刻的常用化學(xué)物質(zhì) ?

HF用于玻璃/硅腐蝕 ?

.用于硅腐蝕的硝酸 ?

用于鋁蝕刻的磷酸 ?

.玻璃緩沖氧化蝕刻中的氟化銨 ?

.氫氧化銨在RCA清潔 ?

.醋酸作為緩沖劑 ?

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