A公司研發(fā)的一款出口智能云語(yǔ)音導(dǎo)航產(chǎn)品，在小批量生產(chǎn)過(guò)程中出了一次疑難問(wèn)題：生產(chǎn)出來(lái)的2萬(wàn)臺(tái)導(dǎo)航產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)，8臺(tái)在開(kāi)機(jī)過(guò)程中出現(xiàn)卡機(jī)問(wèn)題。經(jīng)調(diào)查發(fā)現(xiàn)，產(chǎn)品出問(wèn)題的時(shí)候內(nèi)存訪問(wèn)失敗，SOC對(duì)PMIC寫(xiě)I2C數(shù)據(jù)異常，導(dǎo)致PMIC維持默認(rèn)電壓而未達(dá)到設(shè)定電壓。

因?yàn)樵O(shè)置及測(cè)量核心電壓值都在設(shè)計(jì)范圍內(nèi)，一度導(dǎo)致此問(wèn)題無(wú)解。在引入六西格瑪理念后，困難迎刃而解。天行健六西格瑪顧問(wèn)總結(jié)具體解決方案如下。

（1）定義變量。變量包括溫度變量、路徑阻抗變量、啟動(dòng)過(guò)程BOOT電壓變量和啟動(dòng)正常后kernel 電壓變量。

（2）測(cè)量。按設(shè)定變量針對(duì)進(jìn)行數(shù)據(jù)測(cè)量。

（3）分析。經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)整理，繪制相關(guān)性分布圖，找出強(qiáng)力相關(guān)項(xiàng)：溫度與發(fā)生故障率成強(qiáng)正相關(guān)性;路徑阻抗與發(fā)生故障率成強(qiáng)正相關(guān)性。啟動(dòng)過(guò)程BOOT電壓和啟動(dòng)正常后kernel電壓未發(fā)現(xiàn)相關(guān)性。

設(shè)定溫度為高溫80℃，去除線路上的元器件直連，排除2個(gè)強(qiáng)相關(guān)項(xiàng)，調(diào)查核電壓規(guī)律，發(fā)現(xiàn)2個(gè)核電壓過(guò)低都會(huì)引發(fā)此問(wèn)題。

最后回溯阻抗變量和溫度變量，調(diào)查發(fā)現(xiàn)，線路濾波磁珠元件阻抗參數(shù)容差較大。另外在高溫下，磁珠阻抗會(huì)進(jìn)一步變大，造成路徑阻抗過(guò)高。

（4）改進(jìn)。得到上述結(jié)論后，經(jīng)過(guò)分析整理我們關(guān)注的關(guān)鍵點(diǎn)有以下兩點(diǎn)。

①濾波電路（主因磁珠）在不同的電流條件，溫度條件下表現(xiàn)阻抗偏差很大，與上述2個(gè)條件成強(qiáng)正相關(guān)性，磁珠物料阻抗參數(shù)存在個(gè)體偏差。

② SOC核心在不同核心主頻策略下表現(xiàn)耐受力不同，在滿負(fù)荷、鎖1GHz主頻耐受力最差。溫度條件下成強(qiáng)正相關(guān)性。

最終我們形成了以下結(jié)論。

（1）SOC及磁珠特性同時(shí)偏下限時(shí)，會(huì)出現(xiàn)卡機(jī)問(wèn)題（UBOOT/kernel階段均有概率出現(xiàn)）。

（2）UBOOT階段實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明故障SOC不滿足規(guī)格要求。

（3）SOC對(duì)核電壓精度要求極高，低于測(cè)定值會(huì)偶發(fā)卡機(jī)，高于規(guī)格值會(huì)影響壽命，因此對(duì)路徑阻抗穩(wěn)定性要求極高。

然后我們測(cè)定分析路徑阻抗（包含濾波電路）的溫度偏差數(shù)據(jù)、收集采樣SOC芯片，分析濾波磁珠個(gè)體差異數(shù)據(jù)，最后咨詢廠商重新核定SOC核電規(guī)格容限。

制定設(shè)置方案：UBOOT=1.300V，kernel=1.375V。經(jīng)歷了1萬(wàn)次的自動(dòng)化臺(tái)架測(cè)試后，成功導(dǎo)入量產(chǎn)，解決了這個(gè)疑難問(wèn)題。

（4）控制。問(wèn)題解決后，我們復(fù)盤了問(wèn)題處理的全過(guò)程，從中發(fā)現(xiàn)有益的部分，從而改善我們疑難問(wèn)題處理的流程，實(shí)現(xiàn)組織能力持續(xù)改善提升。加入DFMA庫(kù)，針對(duì)后續(xù)項(xiàng)目前期進(jìn)行針對(duì)性的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估?？偨Y(jié)形成硬件經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)文件，并全部門開(kāi)展經(jīng)驗(yàn)分享培訓(xùn)，提高整體硬件部門技術(shù)能力。