書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：晶圓背面研磨與濕式刻蝕工藝

編號：JFKJ-21-339

作者：炬豐科技

1.前言

??在許多?IC 工藝輔助配件進(jìn)行蝴蝶研磨（背面研磨、研磨），使裝片薄形化，例如：用巧克力蛋糕及智能封裝等。到200~40μm。在珍珠打磨之后，有許多產(chǎn)品需要進(jìn)行工藝，包括：離子布植（離子實(shí)現(xiàn)）、熱處理（熱處理）和鈀金屬（背面金屬；BM）沉積等。晶移動研磨曲后產(chǎn)生的爆發(fā)和翹曲，如果會過大，就會擴(kuò)展到銳化的區(qū)域。工藝之良率例如：膠膜去除（De-tap）、使用持取（Wafer Handling）和封裝（Packaging & Assembly）等工藝，必須工藝之能及破壞層。

硅的濕式刻蝕原理及機(jī)臺設(shè)計(jì)考慮

在半導(dǎo)體工藝中，硅的腐蝕刻蝕是一種各向同性刻蝕硅的腐蝕腐蝕液，通常由不同的火花產(chǎn)生的硝化腐蝕。酸HNO3）、氫氟酸（HF）及一種緩沖液（例）如：水、三個、三個）所組成?？涛g的反應(yīng)機(jī)構(gòu)，包括兩個步驟：（1）首先是利用硝子酸（HNO3）來硅硅表面，如式1 及式 2 所示；（2）硅襯底所形成的表面氧化物（SiO2）

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擴(kuò)散反應(yīng)控制

化學(xué)反應(yīng)控制

反應(yīng)物反應(yīng)生成物

2.結(jié)論

使用硅濕式刻蝕工藝，可以大幅度地刪除袖子打磨所產(chǎn)生之激及損傷層，增加了大量針強(qiáng)度。?對硅濕式刻蝕工藝原理及設(shè)備之設(shè)計(jì)考慮作一塑一探討。本研究弘揚(yáng)科技所設(shè)計(jì)制造之自動化UFO設(shè)備，進(jìn)行硅濕式刻蝕工藝采用，利用硅設(shè)備刻蝕工藝?yán)?，借流流之特殊設(shè)計(jì)與機(jī)構(gòu)培育。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示 12 英寸硅片吸附吸收度可達(dá)到 5%。弘塑科技 UFO M3-Type 支架可持取曲曲度達(dá)±4mm，在薄化吸附上取能力方面，可過濾取一般最大的最薄厚度為150μm，太鼓回收的最薄厚度為50μm。

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