一：《氮化鎵單晶的液相生長》

二：《氮化鎵單晶生長研究進展》

三：《GaN三維結構生長與器件應用》

四：《金剛石氮化鎵技術的未來展望》

五：《兩步生長法制備氮化鎵納米線》

六：《氮化鎵外延用硅襯底問題研究》

七：《氮化鎵單晶襯底的研究進展》

八：《GaN器件在軍事領域中的應用》

九：《半絕緣碳化硅單晶襯底的研究進展》

十：《固態(tài)照明中SiC襯底材料產(chǎn)業(yè)化關鍵問題的研究》

十一：《金剛石散熱襯底在GaN基功率器件中的應用進展》

十二：《MOCVD生長Si襯底上HT-AlN緩沖層低生長壓力對GaN薄膜的影響》

十三：《HVPE法制備碳摻雜半絕緣氮化鎵晶圓片》

十四：《HVPE生長GaN氣相反應路徑的研究》

十五：《低溫緩沖層對金剛石襯底上GaN的沉積作用》

十六：《GaN體單晶的氨熱生長及應力調(diào)控》

十七：《氮化鎵晶片的化學機械拋光工藝》

十八：《氮化鎵表面損傷處理及氨熱生長研究》

十九：《氮化鎵GaN的特性及其應用現(xiàn)狀與發(fā)展》

二十：《氮化鎵單晶襯底制備技術發(fā)展與展望》