書接上回。

一、離子鍵

1. 形成條件：；形成原因：（同時(shí)存在引力與斥力）

2. 離子鍵無方向性與飽和性，離子鍵會(huì)有一定的共價(jià)性，共價(jià)鍵也會(huì)有一定的離子性。

3. 離子的價(jià)電子構(gòu)型（略）

注：當(dāng)離子的與??大致相同時(shí)，正離子對(duì)同種負(fù)離子間的作用力大?。?、18、18+2電子構(gòu)型正離子 >?9~17電子構(gòu)型正離子??> 8電子構(gòu)型正離子（由d軌道電子云形狀，可知d電子對(duì)核的屏蔽效應(yīng)弱）

二、離子極化（在電場(chǎng)或磁場(chǎng)的影響下使電子云變形）

1. 極化能力

①?正離子越大，極化能力越強(qiáng)；

② 不同電子構(gòu)型，正離子極化能力：2、18、18+2電子構(gòu)型正離子 >?9~17電子構(gòu)型正離子??> 8電子構(gòu)型正離子；

③?反極化作用（削弱距離最近化學(xué)鍵）：

（e.g. 熱穩(wěn)定性）

2. 附加極化效應(yīng)（略）

3. 離子極化對(duì)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的影響：

① 離子鍵共價(jià)性升高；② 金屬化合物晶型改變；③ 金屬化合物熔點(diǎn)/水溶性/熱穩(wěn)定性變化；

④ 離子極化作用越強(qiáng)，金屬化合物顏色加深。

三、共價(jià)鍵（此處指2c-2e的共價(jià)鍵）

1. VB法

① 電子配對(duì)原理（共價(jià)鍵具有飽和性）；② 軌道最大重疊原理（共價(jià)鍵具有方向性）

2. Lewis結(jié)構(gòu)式

① 使用范圍：電子構(gòu)型為

② 畫法：略（本質(zhì)上雞兔同籠）

③ 形式電荷（）=原子價(jià)電子數(shù)—原子周圍成鍵數(shù)—原子周圍未成鍵電子數(shù)

的作用是判斷Lewis結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性：

(i) 穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的應(yīng)盡量??；

(ii)?穩(wěn)定結(jié)構(gòu)中應(yīng)盡可能避免兩個(gè)相鄰原子之間的同號(hào)。

注：(i) 另有=原子周圍成鍵數(shù)(8原子價(jià)電子數(shù))?的等價(jià)算法;

(ii) 計(jì)算時(shí)雙鍵當(dāng)2根單鍵處理，三鍵同理。

3. 雜化軌道理論

① 雜化方式（略）

② 雜化軌道成鍵鍵能：

4. VSEPR理論（配合物相關(guān)見后）

鍵數(shù)；中心原子價(jià)電子數(shù)周圍原子接受電子數(shù)；

作用：預(yù)測(cè)空間結(jié)構(gòu)。VSEPR理論的雜化—分子構(gòu)型表（略）

注：(i) VSEPR理論中，重鍵的bp數(shù)=1；

(ii) vp=5時(shí)，lp應(yīng)優(yōu)先放于正方形平面的頂點(diǎn)上； vp=7時(shí)，lp應(yīng)優(yōu)先放于五邊形平面上方或下方;

(iii) 若已知分子結(jié)構(gòu)，則觀察法也可獲取vp, bp, lp值。

5. 鍵

① 定域鍵

注：若復(fù)雜分子中的兩原子間形成配鍵，需注意是否有d-p鍵。

（這兩種鍵型合在一起有雙鍵性）

② 離域鍵（大鍵），符號(hào)，m為軌道中電子數(shù)，n為成鍵原子數(shù)。

(i) p-p離域鍵（有單抓單，沒單抓雙/空，不要漏）

(ii) p-d離域鍵（略）

6. MO法

① 原理：

② 原子軌道合成分子軌道時(shí)的三原則：

(i) 能量相近原則；(ii) 對(duì)稱性匹配原則；(iii)最大重疊原則

分子軌道中的電子排布遵循原子軌道電子排布三原則。

③ 分子軌道能級(jí)圖（能量高的更高，低的更低）

(i) s-s原子軌道組合；(ii) p-p原子軌道組合

注：在p-p原子軌道組合中需要考慮是否存在s-p混雜。s-p混雜會(huì)導(dǎo)致中電子云重疊程度沒有大。經(jīng)驗(yàn)上，在第二周期若存在?的原子，則一般情況下存在s-p混雜。

7. 前線軌道理論（MO法的進(jìn)一步發(fā)展）

①?MO法證明，被電子充滿的軌道通常是低能量的，這就是它們被充滿的原因；則空軌道通常是高能量的；

② 相關(guān)概念：Nu為親核試劑，E為親電試劑，HOMO為最高占據(jù)軌道（最高能量的充滿軌道），LUMO為最低空軌道（最低能量的空軌道），稱HOMO與LUMO為前線軌道；

③ 理論要點(diǎn)：Nu的HOMO與E的LUMO之間的成鍵是最理想的。

8. 鍵參數(shù)：鍵長(zhǎng)、鍵角、鍵能。

注：比較鍵角時(shí)，考慮體系中排斥力，有 lp?> bp，bp中重鍵>單鍵

對(duì)于型分子：若，A—B間的bp偏向A，bp間的排斥力增大，鍵角增大；若，A—B間的bp偏向B，bp間的排斥力減小，鍵角減小。

特例：，P—F具有部分雙鍵性（因?yàn)镻作為第三周期的元素，其原子有空的d軌道，使F的lp有向其中配位的趨勢(shì)），鍵角比大。

四、分子間作用力

1. 范德華力=取向力+誘導(dǎo)力+色散力

色散力與分子質(zhì)量正相關(guān)，而色散力≈范德華力（除了少數(shù)極性分子），所以一般近似認(rèn)為范德華力與相對(duì)分子質(zhì)量正相關(guān)。

2. 氫鍵（略）

注：氫鍵的物質(zhì)的量的計(jì)算用均攤比例法（類似于某些晶體計(jì)算的分?jǐn)偧记桑?/p>

（2023年1月6日）