書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：襯底的預(yù)柵清洗系統(tǒng)和方法

編號：JFKJ-21-297

作者：炬豐科技

摘要 ?

一種用于半導(dǎo)體晶片清洗的系統(tǒng)和方法 ，其中SCI和SC2的使用被淘汰和取代 ?

? 通過使用DIO和稀釋化學(xué)劑。在一個(gè)方面，本發(fā)明是一種方法，包括:工藝室至少一個(gè)半導(dǎo)體晶圓，具有硅粉底至少有一層二氧化硅層 (b)應(yīng)用的水溶液氫氟酸在去離子水(DI)到半導(dǎo)體硅片去除二氧化硅層，形成一個(gè)門;(c)應(yīng)用臭氧去離子水(DIO) 半導(dǎo)體晶圓(d)應(yīng)用稀釋溶液 ......

發(fā)明摘要

? 當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)被發(fā)現(xiàn)時(shí)HF-SC1+SC2的順序配方用于預(yù)澆口。因此,是否已發(fā)現(xiàn)開發(fā)一種可取的清潔在不降低顆粒和金屬去除能力的情況下，從配方中消除SC1的系統(tǒng)和方法。此外，新的清洗系統(tǒng)和方法必須清洗后形成高質(zhì)量的SiO2層。

實(shí)驗(yàn)

本發(fā)明改進(jìn)的澆口前并將其電子Qbd日期與標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較???略

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