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《炬豐科技-半導體工藝》超聲水在硅片清洗過程中的潛力

2021-08-26 10:32 作者:華林科納  | 我要投稿

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》

文章:超聲水在硅片清洗過程中的潛力

編號:JFKJ-21-278

作者:炬豐科技


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介紹 ?

? 作為硅器件技術在微電子和光伏行業(yè),超凈晶圓表面理化性質的良好控制研究進展 。因此,清潔的襯底表面在大規(guī)模集成(ULSI)制造工藝中至關重要,以獲得最大的器件 ?

? 性能、長期可靠性和高產(chǎn)量,存取存儲器(DRAM)的制造過程有多達70個清洗步驟。在0.18 μ m互補金屬氧化物半導體中,共400步 (CMOS)技術的清洗步驟

聲學基本原理


《炬豐科技-半導體工藝》超聲水在硅片清洗過程中的潛力的評論 (共 條)

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