《炬豐科技-半導體工藝》超聲水在硅片清洗過程中的潛力
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》
文章:超聲水在硅片清洗過程中的潛力
編號:JFKJ-21-278
作者:炬豐科技
?
介紹 ?
? 作為硅器件技術在微電子和光伏行業(yè),超凈晶圓表面理化性質的良好控制研究進展 。因此,清潔的襯底表面在大規(guī)模集成(ULSI)制造工藝中至關重要,以獲得最大的器件 ?
? 性能、長期可靠性和高產(chǎn)量,存取存儲器(DRAM)的制造過程有多達70個清洗步驟。在0.18 μ m互補金屬氧化物半導體中,共400步 (CMOS)技術的清洗步驟。
聲學基本原理



標簽: