書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：RCA-1 清潔標(biāo)準(zhǔn)操作流程

編號(hào)：JFSJ-21-019

作者：炬豐科技

1.?目的和應(yīng)用

這種清潔的目的是去除硅晶片上的有機(jī)污染物和顆粒。它會(huì)迅速侵蝕大多數(shù)有機(jī)材料和一些金屬。這種清潔不應(yīng)用于剝離抗蝕劑 - 為此目的使用丙酮。使用 RCA 標(biāo)準(zhǔn)清潔 1 作為最后的“拋光”清潔，以去除最后的殘留物或在開(kāi)始處理之前清潔新晶圓。

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2.?設(shè)備、化學(xué)品和用品

RCA-1 由三種化學(xué)物質(zhì)組成，NH4OH:H2O2:H2O (1:1:5)

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1.?氫氧化銨 (28%)

2.?過(guò)氧化氫 (30%)

3.?去離子水

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3.?個(gè)人防護(hù)裝備

應(yīng)使用以下設(shè)備：

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§?眼睛防護(hù)：需要安全眼鏡和面罩。

§?防護(hù)手套：黑色氯丁橡膠手套。使用前檢查手套是否泄漏。

§?防護(hù)服或裝備：圍裙。

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4.?操作程序

1.?取三個(gè)適合您的樣品的玻璃燒杯或信封，并將它們放在工作臺(tái)上。

2.?為每個(gè)燒杯/信封寫(xiě)下您的名稱(chēng)和化學(xué)品類(lèi)型。

3.?用去離子水填充兩個(gè)燒杯/信封，使其覆蓋您的樣品。去離子水用于沖洗蝕刻劑。

4.?配制去離子水（5 份）、28% 氫氧化銨（1 份）和 30% 過(guò)氧化氫（1 份）的 5:1:1 溶液?；瘜W(xué)品應(yīng)按所列順序添加。

5.?示例：1000 毫升燒杯適用于 4 英寸晶圓：

-?向燒杯中加入 625 毫升去離子水

-?加入 125 毫升 28% 的氫氧化銨

-?加入 125 毫升 30% 的過(guò)氧化氫

6.?混合物會(huì)變熱。處理時(shí)要小心。

7.?如果您打算加熱蝕刻（推薦），請(qǐng)?jiān)谝嫔w中設(shè)置一個(gè)帶有加熱板的 au bain-marie。將裝有蝕刻劑的燒杯/信封放入 au bain-marie（使用信封時(shí)使用支架）使其升溫。使用安裝在玻璃外殼內(nèi)的溫度傳感器來(lái)測(cè)量蝕刻劑的溫度。在高于 80 °C 的溫度下直接加熱無(wú)機(jī)混合物只允許在白天并且只有在 KN 員工個(gè)人批準(zhǔn)設(shè)置后才允許。

8.?當(dāng)溶液達(dá)到一定溫度時(shí)，使用 Teflon 晶片支架將樣品浸入燒杯中。將晶圓支架留在燒杯中會(huì)阻止大氣泡在表面形成。如果表面的蝕刻劑變得飽和而新鮮的蝕刻劑無(wú)法到達(dá)表面，則蝕刻會(huì)減慢。攪拌可用于將蝕刻劑帶到表面并促進(jìn)蝕刻。在這種情況下，使用磁力攪拌器并小心地旋轉(zhuǎn)蝕刻劑以加速蝕刻并提高均勻性。

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去離子水沖洗

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1.?蝕刻完成后，將樣品小心地轉(zhuǎn)移到第一個(gè) DI 水沖洗燒杯/信封中，并將樣品在 DI 水中移動(dòng) 5 分鐘。

2.?如果您使用鑷子移動(dòng)樣品，請(qǐng)確保同時(shí)沖洗鑷子。

3.?將樣品轉(zhuǎn)移到第二個(gè) DI 沖洗燒杯中，并在移動(dòng)樣品的同時(shí)再?zèng)_洗 5 分鐘。

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樣品干燥

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1. 水沖洗完成后，取出樣品并用 N2 槍吹干。

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清理

1.?蝕刻劑不應(yīng)用于多次蝕刻。加熱后，該溶液僅在 30 分鐘內(nèi)有效。

2.?關(guān)閉電爐。

3.?在處理前讓溶液冷卻三小時(shí)。這段時(shí)間后，溶液中不應(yīng)有氣泡。

4.?當(dāng)溶液處于室溫時(shí)，小心地將其倒在裝有去離子水的另外兩個(gè)燒杯/信封上。

5.?使用文丘里管清除所有兩個(gè)燒杯/信封中的廢物。

6.?用去離子水沖洗所有燒杯/信封 3 次。

7.?將所有燒杯/信封倒置，用去離子水清洗外部并用 N2 槍吹干。

8.?將所有實(shí)驗(yàn)室器具放回其正確位置。

9.?清潔該區(qū)域并用去離子水沖洗。

10.?把你的黑色手套洗干凈，放在長(zhǎng)凳上。

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以上只是基于實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)，實(shí)驗(yàn)設(shè)備也比較簡(jiǎn)陋，如果再結(jié)合濕法清洗設(shè)備進(jìn)行蝕刻工藝，效果會(huì)有明顯的提高，南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司生產(chǎn)的濕法清洗設(shè)備能在各方面滿(mǎn)足要求，使清洗達(dá)到事半功倍的效果。

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