書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：MOS晶體管

編號(hào)：JFSJ-21-066

作者：炬豐科技

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摘要：

1.源漏之間的傳導(dǎo)通道

2.由施加到柵極的電壓調(diào)制（壓控器件）

3.nMOS 晶體管：多數(shù)載流子是電子（更大的遷移率），p 襯底摻雜（正摻雜）

4.pMOS 晶體管：多數(shù)載流子是空穴（遷移率較低），n 襯底（負(fù)摻雜）

制作步驟：

1.?通過(guò)光刻工藝在晶圓上圖案化特征（光刻，n.?從平面上打印的過(guò)程，在該平面上要打印的圖像是吸墨性的，空白區(qū)域是拒墨性的）。

2.?用稱為光刻膠的光敏有機(jī)材料覆蓋晶圓。

3.?以適當(dāng)?shù)膱D案（遮罩）暴露在光線下。

4.?？

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