書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：光刻

編號(hào)：JFSJ-21-065

作者：炬豐科技

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光刻是一種將圖案轉(zhuǎn)移到物體上的光學(xué)手段基材，圖案首先被轉(zhuǎn)移到可成像的光刻膠層。

光刻膠是一種液體薄膜，可以鋪展到基材上，以所需圖案曝光，然后顯影成選擇性放置的層以進(jìn)行后續(xù)處理。光刻是一種二元圖案轉(zhuǎn)移過程：圖像沒有灰度、顏色和深度。

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光刻工藝概述

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??表面處理

??涂層（旋涂）

??預(yù)烤（軟烤）

??結(jié)盟

??接觸

??發(fā)展

??后烘烤（硬烘烤）

??使用光刻膠作為掩蔽膜進(jìn)行加工

??剝離

??后處理清洗（灰化）

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表面處理-晶圓清洗

??在光刻膠涂層之前必須去除的典型污染物：

??劃線或切割產(chǎn)生的灰塵（通過激光劃線減少）

??大氣灰塵（通過良好的無塵室實(shí)踐最小化）

??磨料顆粒（來自研磨或 CMP）

??刮水器掉毛（使用無絨刮水器盡量減少）

??先前光刻的光刻膠殘留物（通過執(zhí)行氧等離子體灰化最小化）

??細(xì)菌、碳、有機(jī)物（通過良好的去離子水系統(tǒng)最小化）

??水斑（通過良好的 SRD 實(shí)踐最小化）

??水本身?。ㄍㄟ^晶圓單步最小化）

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表面處理-晶圓底涂

??附著力促進(jìn)劑用于輔助抗蝕劑涂層。

??抗粘連因素：

??表面水分含量——非常重要！

??抗蝕劑的潤濕特性

??底漆類型

??延遲曝光和預(yù)烘烤

??抗蝕劑化學(xué)

??表面光滑度

??涂層工藝應(yīng)力

??表面污染

??理想情況下，晶片表面應(yīng)脫水所有 H2O

??晶片被賦予一個(gè)“單一”步驟來解吸任何水表面膜

??在 80-90℃對(duì)流烤箱中烤 15 分鐘，或90℃熱板上1分鐘

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光刻膠旋涂

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??晶片通過真空固定在旋轉(zhuǎn)卡盤上，通過旋涂將抗蝕劑展開成均勻的厚度。

??通常 2000-6000 rpm 15-30 秒。

??抗蝕劑厚度由以下設(shè)置：

??主要抵抗粘度

??二次微調(diào)器轉(zhuǎn)速

??抗蝕劑厚度由 t = kp2/w1/2 給出，其中

??k = 旋轉(zhuǎn)常數(shù)，通常為 80-100

??p = 抗蝕劑固體含量百分比

??w= 旋轉(zhuǎn)器轉(zhuǎn)速（rpm/1000）

??對(duì)于商業(yè)硅工藝，大多數(shù)抗蝕劑厚度為 1-2 mm。

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