有獎(jiǎng)下載|汽車ESD設(shè)計(jì)頻頻受挫?是時(shí)候掌握這份避坑寶典
ESD是靜電放電的簡(jiǎn)稱,被認(rèn)為是電子產(chǎn)品質(zhì)量最大的潛在殺手,靜電防護(hù)也成為電子產(chǎn)品質(zhì)量控制的一項(xiàng)重要內(nèi)容。隨著汽車向電氣化、自動(dòng)駕駛和互連性三大趨勢(shì)快速演進(jìn),汽車ESD設(shè)計(jì)日益成為工程師最為頭疼的問(wèn)題之一。
ESD和電磁兼容性(EMC)是當(dāng)今汽車領(lǐng)域面臨的主要設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。特別是涉及易受 ESD 損壞的極敏感最新高速接口時(shí),ESD 保護(hù)變得異常重要。但是,對(duì)于所有電氣設(shè)計(jì)工程師而言,在 ESD 保護(hù)、EMI 濾波和信號(hào)完整性(SI)之間達(dá)到適當(dāng)平衡是一項(xiàng)非常復(fù)雜的工作。
汽車行業(yè)呼喚更耐用的ESD
電氣化、自動(dòng)駕駛和連接性,這三大趨勢(shì)正在塑造汽車行業(yè)的現(xiàn)在和未來(lái),也為ESD設(shè)計(jì)提出了更高要求。
自動(dòng)駕駛和連接性讓車輛的數(shù)據(jù)速率不斷提高,通信節(jié)點(diǎn)數(shù)量呈爆炸式增長(zhǎng)。隨著攝像頭、雷達(dá)、激光雷達(dá)等傳感器數(shù)量迅速增加,需要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)越來(lái)越多。
在硬件層面上,自動(dòng)駕駛系統(tǒng)要求出色的可靠性,通常需采用多個(gè)冗余級(jí)別運(yùn)行,大量的數(shù)據(jù)在整個(gè)汽車中進(jìn)行傳輸。而且,由于這些系統(tǒng)基本上是“實(shí)時(shí)”的,延遲必須很短,并且不能出現(xiàn)鏈接錯(cuò)誤。這就要求ESD接口必須非??煽磕陀茫瑢?duì)工作期間產(chǎn)生的ESD(帶電ESD)具有耐受性,并支持更高的數(shù)據(jù)速率。現(xiàn)在的汽車接口速度已高達(dá)15 Gbps,與消費(fèi)電子產(chǎn)品接口相當(dāng),甚至更高。
連接性即車聯(lián)網(wǎng),指的是汽車與駕駛員的電子設(shè)備、路邊基礎(chǔ)設(shè)施以及其他車輛或電子設(shè)備的眾多交互可能,主要支持技術(shù)包括無(wú)線技術(shù)(如5G、WiFi 和NFC)和有線技術(shù)(如USB 3.x和HDMI)。從ESD的角度來(lái)看,汽車的使用環(huán)境一般都比較惡劣,為滿足成本和客戶對(duì)安全性能的高要求,接口通常都采用堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)。
IC技術(shù)發(fā)展對(duì)ESD保護(hù)提出更大挑戰(zhàn)
隨著芯片集成度越來(lái)越高,硅片工藝氧化層變得越來(lái)越薄,嵌入式FET的柵極因此更易受到浪涌事件的影響。ESD會(huì)引起高達(dá)30 kV峰值電壓、總脈寬約100 ns的高電壓事件。此外,脈寬更長(zhǎng)(約60 μs)、極端電壓電平較低的浪涌事件也需要進(jìn)行防護(hù)。在多數(shù)ESD相對(duì)安全的環(huán)境下,內(nèi)部ESD保護(hù)可以在組裝過(guò)程中保護(hù)元件。但它無(wú)法防范在應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)發(fā)生的ESD事件。因此,外部ESD保護(hù)必不可少。
當(dāng)今的高速和超高速接口一般以較低的信號(hào)電平工作。高達(dá)20 Gbit/s的數(shù)據(jù)傳輸速度需要對(duì)印刷電路板(PCB)布局進(jìn)行精心設(shè)計(jì),才能保持信號(hào)完整性。這可通過(guò)適當(dāng)?shù)淖杩蛊ヅ鋪?lái)實(shí)現(xiàn),同時(shí)避免過(guò)高的損耗和反射。
另外,汽車還必須考慮各種EMC問(wèn)題。從合規(guī)性角度來(lái)看,ESD只是EMC的一個(gè)方面。由于汽車的系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片(SBC)越來(lái)越多地集成了CAN或LIN收發(fā)器,對(duì)于傳統(tǒng)的汽車接口(尤其是消費(fèi)電子接口和ADAS接口)而言,ESD/EMC防護(hù)變得越來(lái)越重要。因此外部ESD保護(hù)始終具有重要意義。
ESD保護(hù)技術(shù)不斷演進(jìn)
隨著接口數(shù)據(jù)速率提高和IC魯棒性降低,ESD保護(hù)器件的技術(shù)也在不斷進(jìn)步。
起初,人們使用電容進(jìn)行ESD保護(hù),但由于它對(duì)ESD的影響有限,而且不適用于數(shù)據(jù)線,現(xiàn)在已經(jīng)不再使用。
ESD保護(hù)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)是基于齊納二極管設(shè)計(jì)的。它非??煽浚O(shè)計(jì)本身的鉗位電壓相當(dāng)高,因此在許多情況下對(duì)敏感IC的保護(hù)效果不好。此外,它的寄生電容太高,不適用于高速數(shù)據(jù)線。軌至軌技術(shù)使用 pn二極管來(lái)掩蔽齊納二極管的電容,使齊納技術(shù)能夠應(yīng)用于高速接口,但它的鉗位行為比單獨(dú)使用齊納二極管還要差。
與硅工藝解決方案相比,壓敏電阻的電容可以很低,但鉗位效果卻差得多。此外,反復(fù)的ESD事件會(huì)使壓敏電阻性能下降,導(dǎo)致漏電流顯著增加,并改變寄生電容值。因此,壓敏電阻也不是汽車接口保護(hù)的首選。
當(dāng)今,用于高速汽車接口的保護(hù)器件基于先進(jìn)的硅結(jié)構(gòu),比如可控硅整流器(SCR)和開(kāi)基技術(shù)。這些先進(jìn)技術(shù)可以顯著提高器件魯棒性與寄生電容的比值。這些器件的寄生電容非常低,以至于封裝的寄生效應(yīng)主導(dǎo)了射頻特性。此外,這些技術(shù)還以極低的鉗位電壓提供出色的系統(tǒng)級(jí)魯棒性。回彈器件允許的鉗位電壓甚至低于觸發(fā)電壓。
選擇ESD保護(hù)策略,你需要考慮這三個(gè)參數(shù)
在選擇ESD保護(hù)策略時(shí),無(wú)論是哪種應(yīng)用或接口,都要考慮三個(gè)基本參數(shù):保護(hù)器件本身承受ESD和浪涌事件的高度穩(wěn)健性,低鉗位電壓以及低動(dòng)態(tài)電阻。
TrEOS保護(hù)是Nexperia的一項(xiàng)ESD保護(hù)技術(shù),它將所有三個(gè)關(guān)鍵參數(shù)的業(yè)界標(biāo)桿數(shù)值相結(jié)合:深度回彈、低動(dòng)態(tài)電阻、具有超低電容的高ESD穩(wěn)健性,非常適合超高速數(shù)據(jù)線路,如采用USB 3.2或Thunderbolt接口的RX/TX線路,并且能夠保護(hù)非常敏感的片上系統(tǒng)(SoC),還能提供汽車認(rèn)證版本。

為幫助工程師應(yīng)對(duì)汽車行業(yè)所面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),為汽車提供更強(qiáng)大安全的ESD設(shè)計(jì),Nexperia特別推出ESD應(yīng)用手冊(cè)特別版:《ESD應(yīng)用手冊(cè) — 汽車版》作為設(shè)計(jì)工程師的工作指南。主要內(nèi)容包括:
ESD保護(hù)器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)
ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和TLP測(cè)試
ESD保護(hù)原理
因ESD和浪涌事件造成的電子元件故障癥狀
經(jīng)典車載網(wǎng)絡(luò)(IVN)
區(qū)域架構(gòu)
SerDes — 串行器/解串器接口
多媒體接口
使用TVS二極管實(shí)現(xiàn)供電線路保護(hù)
SEED — 系統(tǒng)級(jí)ESD事件的建模
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