SiC MOSFET 憑借著耐高壓、耐高頻、耐高溫等獨(dú)特優(yōu)勢，受到許多人關(guān)注。在電子應(yīng)用中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)短路問題，今天微碧VBsemi就 SiCMOSFET的短路檢測情況進(jìn)行展開了解。

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• 常見的SIC MOSFET的短路類型有兩種：軟開關(guān)短路和負(fù)載短路故障。

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• 軟開關(guān)短路：在開關(guān)操作過程中，由于某種原因?qū)е麻_關(guān)器件無法及時(shí)斷開電流，從而導(dǎo)致電流在開關(guān)器件上持續(xù)流動(dòng)，出現(xiàn)短路現(xiàn)象。

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• 負(fù)載短路故障：負(fù)載端突然出現(xiàn)短路。由于負(fù)載器件損壞、接線錯(cuò)誤或外部環(huán)境影響等原因引起的。當(dāng)負(fù)載短路發(fā)生時(shí)，電流會(huì)迅速增加，導(dǎo)致SiC MOSFET過載并可能損壞。

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• 一般SIC MOSFET會(huì)出現(xiàn)短路的原因:

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1.過電壓：長時(shí)間受到超過其額定電壓的電壓，導(dǎo)致絕緣層擊穿或氧化層破裂。

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2.過電流：SiC MOSFET 被額定電流以上的過大電流擊穿，導(dǎo)致輸電通道內(nèi)部結(jié)構(gòu)受損，導(dǎo)致短路。

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3.溫度過高：SiC MOSFET 運(yùn)行在超過其允許的溫度范圍內(nèi)時(shí)，溫度過高會(huì)引起材料的熱膨脹、電子遷移導(dǎo)致短路。

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4.設(shè)計(jì)問題：材料選擇不當(dāng)、電壓和電流過大、電極之間的間隙不合適等都可能引起短路。

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• SiC MOSFET的短路檢測和保護(hù)可以通過以下幾種方法實(shí)現(xiàn)：

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1.短路檢測方法：可以使用電流檢測技術(shù)來實(shí)現(xiàn)短路檢測。

?例如使用：霍爾傳感器或電流變壓器，因此來檢測電流變化。當(dāng)電流超過設(shè)定的閾值時(shí)，可以判斷出發(fā)生了短路故障。

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2.短路保護(hù)技術(shù)：在檢測到短路故障后，取一些保護(hù)措施。

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使用過流保護(hù)電路來切斷電流，以避免電流過大損壞器件。

使用溫度保護(hù)電路來監(jiān)測芯片溫度，當(dāng)溫度超過設(shè)定值時(shí)，自動(dòng)切斷電流。

使用短路保護(hù)電路來監(jiān)測電流上升速度，當(dāng)電流上升速度過快時(shí)，可以判斷為短路故障并進(jìn)行保護(hù)。

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3.短路關(guān)斷策略：在短路故障發(fā)生時(shí)，可以選擇快速關(guān)斷SiC MOSFET來避免損壞。通過使用適當(dāng)?shù)年P(guān)斷電路，可以實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷時(shí)間，提高短路保護(hù)的效果。

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4.其它保護(hù)措施：采用電流限制技術(shù)來限制電流，以防止過大電流損壞器件。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，還可以考慮電路的布局和散熱設(shè)計(jì)，以提高SiC MOSFET的短路承受能力。當(dāng)然，選擇性能較好的SIC MOSFET產(chǎn)品也是很重要的。

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?碳化硅MOS管

微碧碳化硅MOS管（SiC MOSFET）采用了硅和寬帶隙技術(shù)，具有更大的功率效率、更小的尺寸、更輕的重量、更低的總體成本等優(yōu)勢。適用于600V以上的高壓場景，包括光伏、新能源汽車、充電樁、風(fēng)電、軌道交通等電力電子領(lǐng)域。

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