《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》輻射的表面清潔機(jī)制
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》
文章：輻射的表面清潔機(jī)制
編號(hào)：JFKJ-21-079
作者：炬豐科技
摘要
? 本文介紹了在含氧氣體中使用來自介質(zhì)阻擋放電驅(qū)動(dòng)的準(zhǔn)分子 VUV 光源在 172 nm 的 VUV 輻射進(jìn)行表面清潔的結(jié)果。描述了在介質(zhì)阻擋放電中產(chǎn)生激發(fā)的稀有氣體和稀有氣體/鹵素二聚體的基本機(jī)制，用于產(chǎn)生強(qiáng)大而高效的非相干準(zhǔn)分子 (V) 紫外光源。在簡要討論了通過用 172 nm 真空紫外光照射分子氧而形成原子氧和臭氧之后，概述了文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁表面上碳?xì)浠衔锔呒?jí)氧化的主要化學(xué)反應(yīng)方案。繼原子氧和臭氧與碳?xì)浠衔锏姆磻?yīng)速率的比較，以及原子氧在或接近大氣壓下的平均自由程長度的討論之后，
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關(guān)鍵詞：表面清潔，準(zhǔn)分子，勢(shì)壘放電，原子氧，臭氧，高級(jí)氧化
1.介紹
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? （半導(dǎo)體）表面改性和工程領(lǐng)域的一個(gè)重要考慮因素是表面處理前的表面清潔度。通常，化學(xué)溶劑用于濕化學(xué)清潔工藝以去除半導(dǎo)體表面上的（有機(jī)）污染物。然而，濕化學(xué)清潔技術(shù)需要超純化學(xué)品，會(huì)產(chǎn)生大量有機(jī)廢物，并對(duì)暴露在外的人員的健康造成嚴(yán)重的不利影響。需要干化學(xué)清潔替代品。作為回應(yīng)，等離子體物理和等離子體化學(xué)工藝已成為亞單層以下表面清潔的有效方法。在所有基于等離子體的表面處理技術(shù)中，活性物質(zhì)（例如離子、電子、然后利用這些物質(zhì)與半導(dǎo)體表面上的碳?xì)浠衔镆l(fā)等離子體物理或等離子體化學(xué)反應(yīng)）。不幸的是，不可避免地伴隨著表面等離子體處理的表面充電會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的表面損傷。此外，低氣壓需要較長的泵送和樣品處理時(shí)間，并且已證明不適用于需要較短周期和處理時(shí)間以實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)的半導(dǎo)體表面清潔。
? 在半導(dǎo)體和 LCD?顯示器行業(yè)中建立的一種卓越的表面清潔技術(shù)是在含氧環(huán)境中利用 VUV 輻射對(duì)表面碳?xì)浠衔镞M(jìn)行高級(jí)氧化。該技術(shù)通過在大氣壓力或接近大氣壓力下對(duì)含氧氣體混合物（通常是空氣）進(jìn)行 VUV 照射來產(chǎn)生原子氧和羥基自由基 - 而不是離子。然后將各種自由基用于表面烴的（光化學(xué)）氧化和礦化。雖然 185 和 254 nm 的低壓汞放電燈仍在許多清潔系統(tǒng)中使用，但在許多半導(dǎo)體和 LCD 顯示器制造商中已經(jīng)建立了來自準(zhǔn)分子光源的更適合的 172 nm VUV 輻射。
在含氧氣體中使用 172 nm 的準(zhǔn)分子 VUV 輻射是本文的主題。
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2.介電勢(shì)壘放電中的準(zhǔn)分子形成???略
3.（非鹵化）碳?xì)浠衔锏淖杂苫纬珊透呒?jí)氧化???略
