再快1千倍!反鐵磁性材料,在提高電子設備的速度方面很有潛力!

康奈爾大學科學家在測量和控制氧化鎳中的自旋方面進行了新嘗試,著眼于提高電子設備的速度和存儲容量。其研究論文《反鐵磁性Pt/NiO異質結構中自旋-扭矩轉換的自旋Seebeck成像》發(fā)表在《物理評論X》期刊上。

研究作者Greg Fuchs是應用和工程物理學副教授,其專業(yè)之一是自旋電子學--研究自旋(一種可以記錄信息的角動量):控制電子的磁性。Fuchs和研究團隊正在努力了解如何測量和操縱這種磁性。

Fuchs開創(chuàng)了一種名為磁熱顯微鏡的技術,而不是用傳統(tǒng)形式的磁性顯微鏡測量磁性,其中材料受到光、電子或X射線的轟擊。在這種方法中,熱量被施加到微小區(qū)域中的材料上,并且該區(qū)域中的磁性由產生的電壓來測量。這使得研究團隊可以看到當操縱磁性材料的自旋時會發(fā)生什么。研究人員一直在探索反鐵磁性材料,這類材料的獨特之處在于,它們各自的磁性元素(即根據方位記憶信息的微小片段)不會產生磁場。

因此,可以緊密地包裝在一起而不會相互干擾,從而潛在地實現了高密度存儲。反鐵磁體是更快的鐵磁體兄弟,更傳統(tǒng)的磁性材料,確實會產生磁矩,反鐵磁體具有運行速度快一千倍的潛力。但是理解反鐵磁性材料的行為并不容易,反鐵磁性材料很難研究,因為每隔一個自旋點都在相反的方向,所以沒有凈磁化。它不會產生磁場,并不真正符合傳統(tǒng)的磁場測量方法。有專門的X光設備可以做到這一點,但數量不多,這就限制了可以進行的測量,所以選擇很少。

研究團隊通過挑選合適的反鐵磁性材料(氧化鎳)設計了一個巧妙的最終解決方案,它包含多個自旋面,每隔一個自旋面的自旋指向相反的方向。在鉑和氧化鎳的夾層中,邊界上的自旋全部平行排列,使得研究人員可以使用熱流來測量自旋的方向,而不會抵消信號。這種被稱為“界面自旋Seebeck效應”的效應以前已經在鐵磁金屬和絕緣體中得到證實,但只在反鐵磁體中進行了理論推導。以前沒有人演示過它,更不用說用標準桌面實驗室設備來對反鐵磁性樣品進行成像了。

反鐵磁體成像使科學家能夠在顯微鏡下觀察它們對外部刺激(如電流)的反應。該研究的主要作者、應用物理學博士生以賽亞·格雷(Isaiah Gray)說:這些細節(jié)在試圖制造反鐵磁記憶體裝置時至關重要。通常認為反鐵磁體是一個相當堅硬的堅果,這樣一個相對簡單的方法能奏效,實屬令人驚訝。這開啟了一個全新的領域,可以在反鐵磁性裝置中做什么,現在科學家們可以控制這些材料的紋理,然后看看自旋是如何定向的。
博科園|研究/來自:康奈爾大學
參考期刊《物理評論X》
DOI: 10.1103/PhysRevX.9.041016
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