《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》
文章:半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝
編號(hào):JFKJ-21-219
作者:炬豐科技
擴(kuò)散過程: ?
? 硅表面通過窗口,然后移動(dòng)雜質(zhì)原子從表面進(jìn)入硅晶體。 ?
1.取代擴(kuò)散和間隙擴(kuò)散??

2.擴(kuò)散數(shù)學(xué)模型:
菲克第一擴(kuò)散定律



標(biāo)簽:
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》
文章:半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝
編號(hào):JFKJ-21-219
作者:炬豐科技
擴(kuò)散過程: ?
? 硅表面通過窗口,然后移動(dòng)雜質(zhì)原子從表面進(jìn)入硅晶體。 ?
1.取代擴(kuò)散和間隙擴(kuò)散??
2.擴(kuò)散數(shù)學(xué)模型:
菲克第一擴(kuò)散定律