書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：單晶片處理器制造工藝

編號：JFKJ-21-085

作者：炬豐科技

用單晶片處理器選擇性濕蝕刻磷酸中的 Si3N4/SiO2 的設計

? 在濕法工藝實施中使用單晶片處理器是先進半導體制造的一種趨勢，因為它具有無污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率等優(yōu)點。然而，在去除氮化硅的過程中，不僅是磷酸消耗的成本問題，還有蝕刻速率、均勻性和選擇性等工藝性能，是使該工藝難以切換到單晶圓類型的障礙。晶圓加熱板來保持磷酸蝕刻劑的高溫，以克服單晶圓處理器在氮化物方面存在的蝕刻速率低、均勻性差和選擇性低的常見問題。剝離過程。在這項工作中，研究了單晶片處理器中的操作變量（如轉速、熔池時間和溫度）對蝕刻速率、均勻性和選擇性的交互影響，以深入了解該過程。蝕刻選擇性明顯從約降低。當 H3PO4 溫度從 144°C 增加到 154°C 而引入加熱板已被證明文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁可以顯著提高蝕刻選擇性。

? 在半導體制造中，氮化硅和二氧化硅是最典型和廣泛使用的介電材料，用作硬掩模、犧牲層、注入間隔物或應力誘導膜。氮化硅通常可以通過各種方法去除，例如干法蝕刻、HF、BOE（緩沖氧化物蝕刻）等。 然而，氮化硅對磷酸介質中的氧化物的高蝕刻選擇性使得氧化硅充當蝕刻停止層，以保護下層膜或結構免受氮化膜條帶產生的損壞。

? 多年來，在批量晶片清洗過程中，磷酸和水的混合物一直被用于選擇性蝕刻 Si3N4 膜而不是 SiO2 層。該工藝需要完全去除 Si3N4，但保持最小的 SiO2 損失。

? 半導體制造中針對二氧化硅膜選擇性剝離氮化硅膜的傳統(tǒng)工藝使用商業(yè) H3PO4 溶液，該溶液由 85% H3PO4 和 15% H2O 組成，在高溫下（約 140–180°C）。將此溶液填充在工作臺工具中，加熱至高溫，保持恒定......

實驗性的???略

儀器。

實驗細節(jié)

結果和討論????略

加熱板的影響。

轉速和槳葉時間對氮化硅蝕刻速率的影響。

結論?????略