書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：金屬鎳在晶片上的沉積工藝

編號：JFKJ-21-087

作者：炬豐科技

? 金屬鎳在晶片上的沉積是在 pH 8.0 的不同成分的 NiSO4 水溶液中進行的，無需外部電位控制。在不進行任何催化處理的情況下，在含有 NaH2PO2 作為還原劑、檸檬酸鈉作為絡(luò)合劑和 (NH4)2SO4 作為緩沖劑的常規(guī)化學(xué)鍍中證實鎳在氫封端的 Si的沉積代理人。發(fā)現(xiàn)鎳的沉積也在沒有還原劑中發(fā)生，甚至在由 NiSO4 和 (NH4)2SO4 組成的簡單溶液中也發(fā)生。通過使用配備有能量色散 X 射線光譜儀的透射電子顯微鏡，檢查由這些溶液沉積的薄膜的橫截面，這表明文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁在 Ni 沉積物和 Si 襯底之間形成了氧化硅?；谶@些結(jié)果，討論了在Si上化學(xué)鍍Ni的整個過程的機理。

? 各種各樣的可用于在基板上形成金屬膜的技術(shù)，例如化學(xué)氣相沉積 (CVD)、濺射、蒸發(fā)、電沉積和無電沉積。在這些技術(shù) 中，無電沉積因其操作簡單且成本低而備受關(guān)注。在半導(dǎo)體器件工業(yè)中，已經(jīng)嘗試利用該方法?用于描繪半導(dǎo)體結(jié)的無電沉積、制作歐姆接觸、微圖案集成電路。

? 在過去幾年中，已經(jīng)嘗試填充通孔和溝槽，以生產(chǎn)超大規(guī)模集成 (ULSI) 互連。在這種情況下，無電沉積比干法工藝（如 CVD 和濺射）更具吸引力，因為前一種方法的簡單性和通孔填充能力。

? 此外，通過化學(xué)沉積可以在硅片上制造直徑約 10 nm 的金屬點，這對于實現(xiàn)超高密度只讀存儲器或隨機存儲器具有很大的潛力。 發(fā)現(xiàn)使用聚焦離子束裝置進行離子注入可以修改硅表面并啟動化學(xué)鍍金沉積。我們相信這種現(xiàn)象可用于在硅表面上制作小金屬點。

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實驗性的????略

結(jié)果和討論?????略

結(jié)論????略