接下來(lái)我們要講一下開(kāi)通和關(guān)斷的問(wèn)題了。那么，MOSFET如何進(jìn)行開(kāi)通，如何進(jìn)行關(guān)斷呢？以及在這個(gè)過(guò)程中，會(huì)不會(huì)也產(chǎn)生損耗。

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那么在講這個(gè)之前，我再做一個(gè)補(bǔ)充：

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這個(gè)電路是斷路的，一旦GS電容上有電的話，那么DS實(shí)際上是導(dǎo)通的，與有沒(méi)有回路沒(méi)有關(guān)系。正式因?yàn)檫@樣子的一個(gè)特性，那么，我們拿到一個(gè)管子的時(shí)候，我們也不知道這個(gè)管子GS有沒(méi)有電，這個(gè)管子有可能是導(dǎo)通的，放到電路上去焊接的時(shí)候，可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候，在MOSFET的G和S之間要加一個(gè)電阻，這樣子就可以讓GS電容進(jìn)行放電，有了這樣的一個(gè)放電回路，不管前面驅(qū)動(dòng)端是高阻態(tài)也好，是斷路也好，反正G和S之間是有回路的，確保管子是關(guān)閉的。

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我們把GS之間接一個(gè)下拉電阻。那么接下來(lái)就要看，這個(gè)下拉電阻的取值。實(shí)際上這個(gè)下拉電阻相當(dāng)于三極管N管的下拉電阻。我們說(shuō)，學(xué)習(xí)MOS管，要對(duì)標(biāo)我們大家都熟悉的三極管，這樣就更輕松，更容易理解。

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我們說(shuō)，這個(gè)下拉電阻的好處是什么啊？

1.?可以確保B極是兩態(tài)（三態(tài)：高、低、高阻態(tài)）。 實(shí)際上，我們害怕的就是高阻態(tài)嘛，由于當(dāng)你前面不接的時(shí)候，又?jǐn)嚅_(kāi)了，才有高阻態(tài)。在電路設(shè)計(jì)中，我們從邏輯角度來(lái)講，不是高就是低，這樣子才是最好的，有利于電路的邏輯。

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同樣的，MOSFET加了一個(gè)下拉電阻。

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作用：確保給GS電容提供放電回路——確保關(guān)斷，低態(tài)。

這樣MOSFET就只有兩態(tài)，不是高就是低。

另外，下拉電阻，也可以防止雷擊，靜電。

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實(shí)際上，對(duì)于晶體管來(lái)說(shuō)，如果沒(méi)有一個(gè)完整的額回路，是不導(dǎo)通的；但是MOSFET不一樣，它不需要一個(gè)完整的回路，也能夠讓它導(dǎo)通。

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接下來(lái)我們研究一下MOSFET的開(kāi)通問(wèn)題：

由于有這個(gè)GS電容的存在，MOSFET的開(kāi)通，肯定就會(huì)有一個(gè)延時(shí)。

那么，我們這個(gè)MOSFET的模型怎么去建立呢？

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我們前面講過(guò)了，MOSFET在導(dǎo)通的時(shí)候，DS之間還有一個(gè)Rdson，導(dǎo)通阻抗。

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問(wèn)題補(bǔ)充：

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我們說(shuō)，晶體管這個(gè)地方的下拉電阻是2K，是經(jīng)過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)電路和驗(yàn)證的。

對(duì)于低功耗的電路來(lái)說(shuō)，這個(gè)電阻可以取高一點(diǎn)，但是不要取的太低。取的太低的話，就有可能導(dǎo)致晶體管不能正常的工作。為什么這么說(shuō)呢？我們可以舉個(gè)例子：

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因?yàn)閎e鉗位電壓，導(dǎo)通之后是0.7V，前提是導(dǎo)通之后，這一點(diǎn)很重要哦。

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電阻分壓后，M電的電位要大于0.7V才行，所以，下拉電阻不能太小。

我們假設(shè)下拉電阻取100Ω：

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那么，M點(diǎn)分壓后小于0.7V，三極管是不會(huì)導(dǎo)通的。所以，下拉電阻不能太小，當(dāng)然也不能太大，否則，對(duì)于高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)來(lái)說(shuō)，會(huì)影響它的關(guān)斷時(shí)間。大家在以后的電路設(shè)計(jì)中，如果是頻率相對(duì)較高的開(kāi)關(guān)信號(hào)，一般都取2K，就不用再考慮其他的了。

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我們?cè)賮?lái)看MOSFET的下拉電阻，取多少呢？我們知道三極管的閾值電壓是0.7V，而MOSFET的閾值電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于0.7V，其實(shí)這里的阻值選取跟這里閾值電壓有關(guān)，如果這里取小了，那么分壓之后，一直在它的平臺(tái)電壓，那這個(gè)MOSFET肯定也是不行的。所以，MOSFET一般地下拉電阻取值可以取大一點(diǎn)，這樣MOSFET開(kāi)通就不會(huì)產(chǎn)生影響，而MOSFET的放電更多的是靠前面進(jìn)行放電，也沒(méi)事的對(duì)吧。當(dāng)然，這個(gè)電阻也不能太大，否則靜電雷擊也會(huì)對(duì)MOSFET造成損壞。

MOSFET下拉電阻選取原則：

1.?太小，則功耗大，也不利于管子的導(dǎo)通；

2.?太大，則不利于靜電、雷擊等，這是因?yàn)閮?nèi)阻大。

3.?GS下拉電阻范圍10K~100K，原則上講，高壓系統(tǒng)可以取大一些，低壓系統(tǒng)可以取小一些。正常情況下，建議大家取18K ?20K。（后面談到米勒效應(yīng)的時(shí)候，需要研究這個(gè)電阻）

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我們?cè)賮?lái)看上面這幅圖中的電容，這是我們等效出來(lái)的MOSFET模型里面的Cgs電容。實(shí)際上，在G和D之間也有一個(gè)電容，這個(gè)電容我們叫它米勒電容，Cgd，它還有另一個(gè)名字Crss。同樣的，在D和S之間也有一個(gè)電容，Cds。

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Ciss ?輸入電容：Ciss = Cgd + Cgs

Coss 輸出電容：Coss = Cgd + Cds

Crss ?米勒電容：Crss = Cgd

上面這幅圖是MOSFET的等效模型，這幾個(gè)電容都不是我們想要的，但都是客觀存在的。

接下來(lái)我們要研究一下Ciss。一般我們?cè)跍y(cè)試Ciss時(shí)，是需要把DS端直接短路掉的，然后在控制極G端輸入一個(gè)交流信號(hào)，這樣的話，就有2個(gè)回路了，一個(gè)是經(jīng)過(guò)Cgd，一個(gè)是經(jīng)過(guò)Cgs。

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既然有2個(gè)回路，那么我們就認(rèn)為Cgd和Cgs是并聯(lián)的關(guān)系，電容并聯(lián)容值是不是相加啊，所以Ciss = Cgd+Cgs，這樣就把Ciss測(cè)量出來(lái)了。

如果我們來(lái)測(cè)輸出電容呢？是不是把GS進(jìn)行短路?。?/p>

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同樣的道理，一般我們?cè)跍y(cè)試Coss時(shí)，是需要把GS端直接短路掉的，然后在控制極D端輸入一個(gè)交流信號(hào)。是不是相當(dāng)于Cgd 和 Cds并聯(lián)啊，那么這就是輸出電容Coss = Cgd + Cds。

最后，測(cè)量米勒電容時(shí)，需要把S端接地，測(cè)漏極到柵極的特性。那么，米勒電容是隨著漏極電壓的升高而降低的，最后變成0了。