書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：反應(yīng)離子蝕刻的光刻工藝

編號(hào)：JFKJ-21-136

作者：炬豐科技

摘要

? 在本研究中，干膜的光刻膠是用UV光刻法進(jìn)行制版的優(yōu)化側(cè)壁剖面，實(shí)現(xiàn)側(cè)壁垂直。?側(cè)壁干燥垂直度膠片對(duì)于更好地轉(zhuǎn)換圖案非常重要。?分?jǐn)?shù)因子設(shè)計(jì)利用該方法確定了影響井壁優(yōu)化的重要變量。?的顯著因子為暴露能量。?其他因素在改善方面不顯著側(cè)壁垂直度。人們發(fā)現(xiàn)側(cè)壁坡度隨暴露能量的減小而增大。反應(yīng)離子蝕刻的光刻文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁圖案干膜是必要的在干膜掩模的制造中。?進(jìn)行了側(cè)壁優(yōu)化的干膜RIE實(shí)驗(yàn)使用Ar等離子體。?采用全因子試驗(yàn)設(shè)計(jì)確定影響過(guò)程的關(guān)鍵因素。??腐蝕速率范圍為~150Nm /min ~ 5000nm /min。?蝕刻速率隨射頻功率的增大而增大氧氣流量。?射頻功率和時(shí)間對(duì)氬等離子體有顯著影響。 ?

? 制備的側(cè)壁幾乎垂直的干膜模具用于銅電鍍和提鈦應(yīng)用。?對(duì)電鍍工藝進(jìn)行了優(yōu)化部分因子設(shè)計(jì)。電流密度和電鍍時(shí)間被發(fā)現(xiàn)有很重要的意義。?較低的電流密度導(dǎo)致了更平滑、更細(xì)的沉積相比之下電流密度更高。電鍍的pH值的影響在干膜上的解決方案還有待研究。?干膜模具，增加側(cè)壁坡度 對(duì)鍍銅和提鈦有較好的模式轉(zhuǎn)移效果。

??1. ?介紹 ?

1．1. ?光致抗蝕劑 ?

? 光刻膠是一種用于微電子工業(yè)的光敏材料在基材表面形成有圖案的涂層。?圖案是從光掩模用一種叫做光刻法的工藝將晶圓片裝上光掩模。?在這個(gè)過(guò)程中，a 光刻膠涂在晶圓上，通過(guò)掩模暴露在光下。?一個(gè)光化學(xué)反應(yīng)發(fā)生在抗蝕劑的這些暴露區(qū)域，然后很容易溶解在開(kāi)發(fā)解決方案。?抗蝕劑圖案取決于掩模圖案和極性的抗拒。?正性光刻膠對(duì)光線(xiàn)的反應(yīng)是這樣一種方式，使曝光區(qū)域在發(fā)展過(guò)程中解散得更快。?換句話(huà)說(shuō)未暴露的抵抗區(qū)域?qū)⒈３植蛔儭?負(fù)光刻膠反應(yīng)以相反的方式照射，使抗蝕劑的未暴露區(qū)域溶解在開(kāi)發(fā)人員解決方案，而暴露的區(qū)域仍然在后面。 ?

本文講述了?類(lèi)型的光阻，干膜抗蝕劑的優(yōu)點(diǎn)，液體光刻膠vs干膜光刻膠等問(wèn)題。