二維(2D)過(guò)渡金屬硫族化物(TMC)及其異質(zhì)結(jié)作為各種電子和光電器件的材料基石，特別是用于受大腦啟發(fā)的神經(jīng)形態(tài)計(jì)算系統(tǒng)的未來(lái)憶阻器和突觸器件，受到越來(lái)越多的關(guān)注。其獨(dú)特的性能，如高耐久性、光電可調(diào)性、潔凈的表面、柔性和三維樂(lè)高堆疊能力使得神經(jīng)形態(tài)器件制造工藝簡(jiǎn)單(如高密度集成、操作節(jié)能和可擴(kuò)展性強(qiáng))。本綜述對(duì)基于2D TMC 的高性能憶阻器在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的應(yīng)用進(jìn)行了全面討論，包括 2D TMC 材料和異質(zhì)結(jié)的前景，以及憶阻器件的最新成果。此外該綜述還討論了這些新興材料和器件發(fā)展過(guò)程中面臨的挑戰(zhàn)和未來(lái)前景。

Memristive Devices Based on Two?Dimensional Transition Metal Chalcogenides for Neuromorphic Computing

Ki Chang Kwon, Ji Hyun Baek, Kootak Hong, Soo Young Kim*,Ho Won Jang*

Nano-Micro Letters (2022)14:?58

本文亮點(diǎn)

1.?基于二維(2D)過(guò)渡金屬硫族化物(TMC)材料的優(yōu)勢(shì)，介紹了其在用于神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的憶阻器方面的工作原理。

2.?介紹了2D TMC 材料和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的前景，及其用于神經(jīng)形態(tài)計(jì)算應(yīng)用的二維 TMC 憶阻器的最新成果。

3.?討論了基于2D? TMC的神經(jīng)形態(tài)器件的制備和表征的最新進(jìn)展、目前的挑戰(zhàn)和未來(lái)前景。

內(nèi)容簡(jiǎn)介

作為開(kāi)發(fā)神經(jīng)形態(tài)器件的新材料，二維材料引起了研究人員的極大興趣。近原子層厚度的二維材料具有獨(dú)特的光電和機(jī)械特性，例如界面電荷捕獲、鐵電/鐵磁、多態(tài)性和相變。在二維材料中，尤其是二維過(guò)渡金屬硫族化物(TMC)可具有多種晶型和晶體結(jié)構(gòu)，以及所期望的相態(tài)?；?D TMC 的神經(jīng)形態(tài)器件有多種操作機(jī)制，包括界面靜電調(diào)制、電荷轉(zhuǎn)移、相變和柵門(mén)控能帶位移等。此外，2D TMC 材料可以用作類(lèi)似樂(lè)高積木的堆疊方式來(lái)設(shè)計(jì)各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，為研究各種類(lèi)型的電子/光電神經(jīng)形態(tài)器件開(kāi)辟了新的可能性。通過(guò)堆疊不同的二維材料，可以創(chuàng)建具有更豐富光電特性的TMC異質(zhì)結(jié)構(gòu)，從而在交叉陣列器件中實(shí)現(xiàn)集光學(xué)感知、存儲(chǔ)和計(jì)算功能于一體的類(lèi)視網(wǎng)膜形態(tài)傳感器。首爾國(guó)立大學(xué)Ho Won Jang課題組和高麗大學(xué)Soo Young Kim課題組介紹了基于 2D TMC材料的神經(jīng)形態(tài)器件應(yīng)用的最新進(jìn)展。首先簡(jiǎn)要概述了突觸器件及其用于記憶存儲(chǔ)的突觸功能。在討論了2D TMC的顯著特性和工作機(jī)制之后，進(jìn)一步討論了基于2D TMC材料的神經(jīng)形態(tài)器件的最新進(jìn)展。最后，簡(jiǎn)要概述了目前二維TMC材料及其在器件中的應(yīng)用所面臨的挑戰(zhàn)和前景。

圖文導(dǎo)讀

I?生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和基于憶阻器的突觸器件構(gòu)成的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

在人腦的神經(jīng)系統(tǒng)中，突觸被定義為兩個(gè)神經(jīng)元之間的連接點(diǎn)，它充當(dāng)將神經(jīng)沖動(dòng)從突觸前神經(jīng)元傳遞到突觸后神經(jīng)元的重要途徑。當(dāng)電信號(hào)發(fā)送到突觸前神經(jīng)元時(shí)，會(huì)產(chǎn)生稱(chēng)為動(dòng)作電位的電尖峰。然后，它通過(guò)突觸間隙釋放化學(xué)物質(zhì)(所謂的神經(jīng)遞質(zhì))來(lái)觸發(fā)突觸后神經(jīng)元的沖動(dòng)。人工突觸模仿神經(jīng)形態(tài)計(jì)算系統(tǒng)中的生物突觸，在非馮諾依曼計(jì)算中實(shí)現(xiàn)類(lèi)似生物腦的大規(guī)模并行和容錯(cuò)計(jì)算。人工突觸器件的硬件實(shí)現(xiàn)始于一個(gè)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由分別對(duì)應(yīng)于突觸前和突觸后神經(jīng)元的頂部和底部電極以及模擬突觸信號(hào)的憶阻材料組成，如圖1所示。

圖1.?生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和基于憶阻器的人工突觸及其神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)之間的相似性。

II?用于憶阻器基神經(jīng)形態(tài)器件的 2D TMC 材料前景展望

2D TMC 被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)神經(jīng)形態(tài)器件的理想候選材料之一，通常需要滿(mǎn)足以下幾點(diǎn)要求：(1)快速開(kāi)關(guān)過(guò)程，(2)高密度集成，以及(3)更低的能耗。由于它們極薄的厚度，有利于制造高度集成的器件架構(gòu)并實(shí)現(xiàn)快速切換，從而降低功耗(圖 2a)。此外，二維材料優(yōu)異的機(jī)械柔性使其能夠應(yīng)用于柔性器件(圖 2b)。從這些方面來(lái)看，基于2D TMC的可穿戴或柔性光電突觸器件應(yīng)用前景非常廣闊。其中，2D TMC 材料最吸引人的特征是 vdW 異質(zhì)結(jié)構(gòu)(圖 2c)，這能夠克服單層TMC的材料功能限制。此外，vdW堆疊對(duì)于在2D材料之間的接觸，不產(chǎn)生漏電流，這具有很大的優(yōu)勢(shì)。圖2d是二維材料中存在的缺陷，通過(guò)缺陷工程重新分配空位原子來(lái)實(shí)現(xiàn)電阻的轉(zhuǎn)變。

圖2.?有望用于憶阻器基的神經(jīng)形態(tài)器件的2D TMC材料展望。(a) 近原子厚度的器件制造；(b) 機(jī)械柔韌性；(c) 二維材料之間的異質(zhì)結(jié)構(gòu)降低了接觸電阻；(d) 由各種缺陷工程控制的特性，包括硫族元素空位、雜質(zhì)原子摻雜、合金化和 Janus 結(jié)構(gòu)。
III?基于二維TMC材料的憶阻器器件代表性工作原理

許多具有多態(tài)的2D TMC材料在結(jié)構(gòu)、電學(xué)和相位可控性方面具有固有優(yōu)勢(shì)。特別是，精確可控的相變和原子級(jí)超薄結(jié)構(gòu)使神經(jīng)形態(tài)器件具有出色的可靠性/可逆性、快速開(kāi)關(guān)、低功耗和高密度器件集成。因此，2D TMC非常有潛力作為未來(lái)存儲(chǔ)和神經(jīng)形態(tài)應(yīng)用的材料，并受到了廣泛關(guān)注。此外, 基于MxCy(M；過(guò)渡金屬，如Mo、W、Sn、Hf、Zr和C；硫族原子，如S、Se、Te)和各種晶體系統(tǒng)所代表的80多種TMC的不同組合，可以構(gòu)建大量用于存儲(chǔ)和神經(jīng)形態(tài)器件的材料資源庫(kù)。盡管它們結(jié)構(gòu)相似，但特定的載流子傳輸機(jī)制可能取決于原子成分，而這種機(jī)制也決定了相應(yīng)的存儲(chǔ)和神經(jīng)形態(tài)器件的工作原理。作者總結(jié)了存儲(chǔ)和神經(jīng)形態(tài)器件的四種常見(jiàn)的工作機(jī)制：(1)導(dǎo)電細(xì)絲，(2)空位遷移，(3)電荷俘獲/去俘獲，(4)相變，如圖3所示。此外，表1對(duì)比了目前報(bào)道的基于2D TMCs的各類(lèi)憶阻器和神經(jīng)形態(tài)器件的性能，包括器件結(jié)構(gòu)、制備方法、工作電壓和能耗等。

圖3.?幾種代表性的基于二維TMC材料的憶阻器器件工作原理及示意圖：(a) 導(dǎo)電細(xì)絲；(b) 空位遷移；(c) 相變；(d) 電荷俘獲。

表1.?基于 2D TMC 的憶阻器和神經(jīng)形態(tài)器件。

IV?用于神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的二維 TMC 憶阻器的研究進(jìn)展

在垂直結(jié)構(gòu)的憶阻器器件中使用二維材料可以將厚度縮小到 10 nm 或更小，實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)電壓和高集成密度，從而可用于低功率器件。Xu等人制造的垂直堆疊的Cu/ MoS?/Au結(jié)構(gòu)憶阻器，展示了具有低電壓尖峰的STDP，使這項(xiàng)工作被認(rèn)為有望作為神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)中人工突觸器件的候選者，如圖4a-e。在基于導(dǎo)電細(xì)絲的憶阻器件中，導(dǎo)電細(xì)絲的隨機(jī)分布是影響器件均勻性和穩(wěn)定性的重要問(wèn)題。Yan等人使用ZrO?/ WS?異質(zhì)結(jié)作為活性層來(lái)控制導(dǎo)電細(xì)絲的形成和斷裂過(guò)程。這種在異質(zhì)雙層中形成的局部細(xì)絲可以通過(guò)降低導(dǎo)電細(xì)絲成核和斷裂過(guò)程的不可預(yù)測(cè)性來(lái)顯著提高電阻切換能力的均勻性和穩(wěn)定性，如圖f-h。而在基于導(dǎo)電細(xì)絲機(jī)制的憶阻器件中，氧化金屬離子占據(jù)空位被認(rèn)為是電阻開(kāi)關(guān)的原因。形成導(dǎo)電細(xì)絲的金屬離子的擴(kuò)散可以通過(guò)空位遷移來(lái)輔助。鑒于此，Lu等人報(bào)道了一種Ag/ SnS/ Pt 憶阻器，由于Sn空位的存在，可以輕松形成穩(wěn)定的Ag細(xì)絲，如圖i-j。在無(wú)導(dǎo)電細(xì)絲形成的情況下，Yan等人報(bào)道了一種具有基于空位形成和電子在2H的 WS?相中鎢和硫之間的空位跳躍的電阻切換機(jī)制的憶阻器器件，該器件顯示出低功耗的特征，可適用于節(jié)能型神經(jīng)形態(tài)器件，如圖4k-o所示。

圖4. 基于 TMD 的人工突觸器件。(a) 基于導(dǎo)電細(xì)絲機(jī)制的垂直結(jié)構(gòu)Cu/ MoS?/ Au憶阻器；(b) 電阻開(kāi)關(guān)的經(jīng)典I-V曲線；(c) 導(dǎo)致LRS到HRS轉(zhuǎn)變的Cu細(xì)絲的形貌變化示意圖；(d) 人工突觸的經(jīng)典雙極和模擬開(kāi)關(guān)特性；(e) STDP行為；(f) Ag/ ZrO?/ WS?/ Pt憶阻器器件的結(jié)構(gòu)；(g) 器件結(jié)構(gòu)Ag/ ZrO?/ WS?/ Pt 的I-V 特性；(h) SET和RESET過(guò)程的示意圖；(i) Ag/ SnS/ Pt憶阻器中的離子動(dòng)力學(xué)示意圖；(j) 具有4 V/ 1.5 ns電壓脈沖的器件的超快開(kāi)關(guān)曲線；(k) 基于原子空位形成和遷移的Pd/ WS?/ Pt憶阻器工作機(jī)理示意圖；(l) LRS中WS?薄膜的TEM圖像；(m) W原子的線輪廓，上圖(HRS)和下圖(LRS)；(n) 通過(guò)改變輸入電壓幅度進(jìn)行脈沖調(diào)制；(o) 4種不同頻率(0.1、0.2、0.5和1 MHz)的脈沖序列的響應(yīng)電流。

圖5. 多端協(xié)同耦合神經(jīng)突觸器件。(a) 基于MoS?的2H-1T'相變的電場(chǎng)可控器件；(b) 通過(guò)編程脈沖增強(qiáng)和抑制突觸；(c) Li?離子分布示意圖(上)和AFM高度圖像(下)以及(d) 突觸增強(qiáng)和抑制過(guò)程示意圖；(e) 初始四電極突觸協(xié)作示意圖；(f) 器件1的增強(qiáng)和抑制以及(g) 對(duì)器件1相應(yīng)的非刺激器件2、3和4的電導(dǎo)變化；(h) 由WO???憶阻層和WSe?/石墨烯二極管組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)示意圖；(i) 有(紅線)和無(wú)WO???層(黑線)的ID–VD特性；(j) 根據(jù)肖特基勢(shì)壘高度的柵極可調(diào)諧ID–VD的開(kāi)關(guān)曲線；(k) 由VG變化引起的STP到LTP轉(zhuǎn)化。

對(duì)于可靠的憶阻器應(yīng)用而言，不僅需要精確控制相變的持續(xù)時(shí)間，而且相變過(guò)程的可逆性也很重要。MoS?等層狀2D材料在相變時(shí)呈現(xiàn)出高度各向異性的離子輸運(yùn)特性，有助于基于耦合離子電子效應(yīng)的器件間的高效離子調(diào)制和離子耦合。Lu等人報(bào)道了一種基于電場(chǎng)控制的鋰離子在MoS?中遷移從而導(dǎo)致可逆相變的憶阻器。天然MoS?材料主要以2H相的形式存在。當(dāng)MoS?薄膜通過(guò)鋰離子插層在薄片之間進(jìn)行鋰化時(shí)，會(huì)發(fā)生2H到1T′的相變，與原始MoS?相比，電導(dǎo)率增加了三個(gè)數(shù)量級(jí)以上。這種相變器件表現(xiàn)出可靠的憶阻特性，其中由電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的局部低/ 高鋰離子濃度分別誘導(dǎo)了半導(dǎo)體2H相/金屬1T′相的相變，如圖5a-g。此外，Hu等人報(bào)道了一種垂直三端突觸器件，由憶阻層WO?和 WSe?/石墨烯肖特基二極管組成。在低于0.4 V的低漏極電壓下，可以觀察到典型的雙極電阻開(kāi)關(guān)行為，這種開(kāi)關(guān)是在頂電極Ag與WSe?層氧化生成的超薄非晶WO???層界面附近誘導(dǎo)氧空位的遷移而導(dǎo)致的。此外，由于WSe?和石墨烯結(jié)處的靜電柵極可調(diào)節(jié)肖特基勢(shì)壘，因此通過(guò)改變柵極電壓可以顯著調(diào)整電阻切換現(xiàn)象。如圖h-k所示。

圖6. 通過(guò)電荷俘獲/去俘獲過(guò)程的憶阻器件。(a) 基于Ag/ ZnO/ WS?/ Al的憶阻器結(jié)構(gòu)示意圖。(b) PPF在不同脈沖幅度和不同脈沖寬度下作為脈沖間隔(Δt)的函數(shù)衰減。(c) STDP的實(shí)驗(yàn)結(jié)果展示。(d) STM到LTM的轉(zhuǎn)變和通過(guò)將輸入脈沖電壓從+ 0.7增加到+ 1.0 V時(shí)的器件電導(dǎo)變化。(e) 分別在STM和LTM模式下記憶的字母“C”和“T”的圖像。(f) 3×3陣列在寫(xiě)入過(guò)程后的30秒后的電流測(cè)量演繹過(guò)程。

在2D vdW突觸器件中，隧道勢(shì)壘的長(zhǎng)度可以通過(guò)俘獲或去俘獲電子來(lái)增加或減少。Kumar等人報(bào)道了由垂直生長(zhǎng)的WS?層和ZnO組成的憶阻神經(jīng)形態(tài)器件。WS?和ZnO層之間的層間分離作為一種有效的多孔介質(zhì)，可允許ZnO與缺陷一起生長(zhǎng)。在這個(gè)有缺陷的界面層中，隨機(jī)分布的氧空位起著電荷俘獲/去俘獲中心的作用。因此，當(dāng)施加編程脈沖時(shí)，注入的電荷載流子填充缺陷，導(dǎo)致內(nèi)部電導(dǎo)變化。為了實(shí)現(xiàn)突觸中的相關(guān)神經(jīng)功能，在不同的電刺激下展示了各種可塑性。神經(jīng)科學(xué)中雙脈沖易化(PPF)是一種短期可塑性形式，表現(xiàn)為在快速誘發(fā)的兩個(gè)閉合尖峰中增強(qiáng)第二興奮性突觸后電位(EPSP)。結(jié)果表明，隨著尖峰間時(shí)間Δt從0.1增加到40 ms，PPF 值呈指數(shù)下降至100%，這與生物突觸一致。此外，作者還展示了LTP、LTD和STDP。與傳統(tǒng)的數(shù)字記憶不同，人類(lèi)記憶通?？煞譃槎唐谟洃?STM)和長(zhǎng)期記憶(LTM)。STM在幾分鐘內(nèi)丟失，而 LTM 是永久性變化，持續(xù)數(shù)小時(shí)到數(shù)年或更長(zhǎng)時(shí)間。如圖6所示。

圖7. 利用光刺激實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)而使用電刺激實(shí)現(xiàn)抑制的新型神經(jīng)擬態(tài)概念器件展示：(a)光電二極管行為；(b) 瞬態(tài)光電導(dǎo)測(cè)量；(c) I–V循環(huán)特性；(d) 光脈沖誘導(dǎo)的PPF特性；(e) 負(fù)電壓脈沖誘導(dǎo)的電PPF特性；(f) 20個(gè)周期的光增強(qiáng)和電抑制結(jié)果展示。

2D TMC 及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)，由于其強(qiáng)大的光物質(zhì)相互作用和巨大的表面體積比導(dǎo)致的顯著光生電荷俘獲，具有成為光電憶阻器理想材料的巨大潛力。此外，這些2D TMC 可以吸收從紫外到紅外的寬電磁波譜。因此，它們可用于光電憶阻器和用于集光學(xué)傳感、存儲(chǔ)、處理于一體的神經(jīng)形態(tài)器件。Guo等人報(bào)道了一種基于單層n-MoS?/ p-Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)的超薄憶阻突觸，以此研究光增強(qiáng)和電抑制行為?；谠撈骷Y(jié)構(gòu)展示的固有的持久光電導(dǎo)性能和易失性電阻切換行為，作者成功地研究了各種突觸功能。如圖7所示。

圖8. 集光電信號(hào)刺激于一體的光電融合神經(jīng)突觸器件展示。(a) Al/ TiN?O???/ MoS?/ ITO器件結(jié)構(gòu)示意圖，(b) EPSC曲線通過(guò)光刺激(3.15 mW cm?2，10 s)寫(xiě)入和電脈沖電擦除(-3 V，50 ms)，(c) 光誘導(dǎo)基于EPSC的PPF指數(shù)。(d) 連續(xù)光脈沖和(e)循環(huán)測(cè)試下的電導(dǎo)變化，以展示“學(xué)習(xí)-遺忘-重新學(xué)習(xí)”過(guò)程。

此外，Chen等人報(bào)告了一種基于異質(zhì)結(jié)構(gòu)(TiN?O???/ MoS?)的光電突觸。他們通過(guò)水熱法在氧化銦錫(ITO)電極上制備了約50 nm厚的MoS?層，并在MoS?上生長(zhǎng)了TiN?O???薄膜。Al電極用作頂電極。使用電壓脈沖的I-V特性揭示了電導(dǎo)響應(yīng)與掃描電壓的關(guān)系。在連續(xù)正負(fù)電壓掃描時(shí)，器件電導(dǎo)逐漸增加和減少。在正偏壓下，TiN?O???的氧空位可以遷移到MoS?薄膜上，導(dǎo)致它們之間的界面勢(shì)壘降低，器件電導(dǎo)增加。相反，氧空位從MoS?薄膜回歸TiN?O???薄膜，導(dǎo)致電導(dǎo)下降。除了電信號(hào)外，他們還使用強(qiáng)度為3.15 mW cm?2的365 nm紫外光展示了器件的光電突觸行為，如圖8所示。

圖9. 基于平面內(nèi)鐵電效應(yīng)的SnS薄膜的橫向兩端電學(xué)突觸器件展示。(a) Pt/ SnS/ Pt平面器件圖示；(b) EPSC展示。脈沖幅值：3 V，脈沖寬度：20 ms；(c)器件的PPF特性展示；(d) LTP/LTD曲線，分別使用3、4和5V脈沖作為刺激電壓(電導(dǎo)狀態(tài):50個(gè)循環(huán))；(e) LTP/LTD曲線，使用電壓增量脈沖(電導(dǎo)狀態(tài):100個(gè)周期)；(f) STDP 學(xué)習(xí)規(guī)則演示；(g) 通過(guò)MNIST數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬；(h) i) 理想(94%)、ii) 相同脈沖(~80%)和iii) 可變脈沖(~93.1%)的識(shí)別準(zhǔn)確率。

二維鐵電體已成為實(shí)現(xiàn)納米級(jí)鐵電體或鐵電體光電存儲(chǔ)器件的新材料，因?yàn)樗鼈兙哂袕?qiáng)大的極性排序至單層極限、表面上的零懸空鍵和機(jī)械靈活性。二維鐵電TMC材料SnS最近已成為平面器件應(yīng)用的候選材料之一。Loh等人最近已經(jīng)成功展示了一種簡(jiǎn)便的晶圓級(jí)合成方法，用于SnS薄膜及其橫向金屬/ SnS/ 金屬基人工突觸裝置。選擇SnS薄膜是因?yàn)槠?.3 eV的窄帶隙可將室溫鐵電性保持到原子尺度的能力以及易于大面積生長(zhǎng)的可擴(kuò)展性。他們通過(guò)各種測(cè)量方法(例如二次諧波產(chǎn)生、壓電力顯微鏡和電開(kāi)關(guān)行為)研究了材料的平面內(nèi)鐵電性。通過(guò)制備Pt/ SnS/ Pt器件來(lái)研究電流行為和突觸行為。作者還展示了一系列常見(jiàn)的神經(jīng)形態(tài)器件特性：EPSC、PPF、LTP/LTD和STDP。如圖9所示。

圖10. 基于鐵電材料α-In?Se? 薄膜的光電融合神經(jīng)形態(tài)器件應(yīng)用展示. (a) 包含α-In?Se?溝道和電極的光電存儲(chǔ)器件的AFM圖像；(b) 基于光學(xué)記憶的突觸器件的示意圖；(c) 使用光脈沖寫(xiě)入和電脈沖擦除的疲勞測(cè)試結(jié)果展示；(d) 超過(guò)5000秒的保持性測(cè)試，30秒后開(kāi)/關(guān)比急劇下降；(e) 使用α-In?Se?溝道中的連續(xù)光脈沖驗(yàn)證多級(jí)電流開(kāi)關(guān)特性；(f) 不同光強(qiáng)下光脈沖對(duì)EPSC的比較；(g) 使用兩種具有不同光強(qiáng)度和脈沖間隔的光刺激的PPF；(h) 基于光增強(qiáng)和電抑制的30個(gè)循環(huán)結(jié)果展示。

最近，Zhang等人報(bào)告了六方鐵電α相In?Se?的光電行為，并基于材料的鐵電性能提出光電非易失性存儲(chǔ)器件。α相In?Se?薄片采用普通透明膠帶機(jī)械剝離法制備，采用Ti/ Au(10/ 70 nm)作為金屬電極。該項(xiàng)工作展示了一種全新的憶阻器工作原理，為光電存儲(chǔ)器的非易失性操作器件設(shè)計(jì)提供一個(gè)新的思路。如圖10所示。

作者簡(jiǎn)介

Soo Young?Kim

本文通訊作者

韓國(guó)高麗大學(xué) 教授

▍主要研究領(lǐng)域

氧化石墨烯、過(guò)渡金屬二鹵化物（TMD）及其應(yīng)用，如OLED、有機(jī)光伏鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，氣體傳感器；人工蛋白質(zhì)重構(gòu)，仿生及再設(shè)計(jì)，構(gòu)建亞細(xì)胞器等。

▍Email:?sooyoungkim@korea.ac.kr

Ho Won?Jang

本文通訊作者

首爾國(guó)立大學(xué)?副教授

▍主要研究領(lǐng)域

太陽(yáng)能水分裂電池、傳感器、憶阻器、等離子體電子學(xué)和金屬-絕緣體-過(guò)渡的材料合成和設(shè)備制造。

▍主要研究成果

2004在浦項(xiàng)科技大學(xué)材料科學(xué)與工程系獲得博士學(xué)位。2006至2009年間在威斯康星麥迪遜大學(xué)擔(dān)任研究助理。在2012年加入首爾國(guó)立大學(xué)之前，他曾在韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）工作，擔(dān)任高級(jí)研究科學(xué)家。韓國(guó)青年科學(xué)技術(shù)研究院成員，擔(dān)任Electronic Materials Letters, Current Applied Physics的編輯，在國(guó)際期刊上發(fā)表了大約250篇論文。

▍Email:?hwjang@snu.ac.kr

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