書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：清洗硅片兩步法

編號：JFKJ-21-238

作者：炬豐科技

摘要 ?

? 清洗硅片的方法是:首先將硅片浸泡在成膜溶液中，成膜溶液與臟的硅片反應(yīng)，在硅片上形成一層膜，然后將硅片浸泡在膜剝離溶液中，去除膜。對于硅片，成膜溶液和脫膜溶液都可以由分別由49%重量的HF和70%重量的HNO3組成的單獨的水溶液形成。

采用階梯法清洗硅 ?

????新鋸、研磨或研磨的硅片非常臟，如果后續(xù)的electronic設(shè)備制造過程要成功，就必須清洗。硅片上的污垢成分中有錠子油;硅粒子;硅粉;冷卻溶液，包括濕潤劑;研磨拋光砂;環(huán)氧樹脂澆鑄化合物;人類手指指紋，可能還有其他材料。

發(fā)明摘要 ?

? 通過使用兩步清洗過程，本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的晶圓清洗解決方案的上述問題。這個過程將清洗所有類型的晶圓片，并且不會顯著地從重?fù)诫s的p型晶圓片中濾出摻雜劑。這種清洗過程對任何工作損壞的表面都特別有用，但不限于工作損壞的表面。

? 首先，晶圓被處理成膜溶液，它與晶圓和/或污垢反應(yīng)，在晶圓表面形成一層膜。硅片最好在去離子水中漂洗，然后浸入膜剝離溶液中，去除第一溶液形成的膜，使硅片保持干凈。成膜溶液和脫膜溶液均可由分離的水溶液配制而成，該水溶液分別由重量為49%的HF和重量為70%的HNO3組成。

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