《炬豐科技-半導體工藝》硅三維結構的晶圓級集成
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》
文章:硅三維結構的晶圓級集成
編號:JFKJ-21-237
作者:炬豐科技
摘要??
??硅納米結構的晶片級集成是制備納米器件的重要組成部分。金屬輔助化學蝕刻是一種低成本、高容量的垂直排列硅納米線制備技術。貴金屬納米顆粒用于局部刻蝕硅襯底。
介紹??
??硅納米結構極大地提高了現(xiàn)代傳感器、能量存儲設備或能量采集器的性能,并已成為其發(fā)展的關鍵。這些結構可以是自頂向下過程中構造的定義良好的規(guī)則結構,也可以是自底向上過程中自組裝的隨機結構。??
結果與討論??
??晶圓級集成納米結構模板的制備主要分為貴金屬納米粒子的制備和隨后的硅濕法刻蝕兩大部分。
硅蝕刻 ?
? 在稀釋的HF/H2O2溶液中蝕刻含有貴金屬納米顆粒和聚甲基丙烯酸甲酯圖案的晶片10分鐘。該過程是單晶浴過程,可以很容易地擴大到批量過程。



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