原子層沉積設(shè)備是一種用于力學(xué)、物理學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域的儀器。應(yīng)用范圍：（1）半導(dǎo)體領(lǐng)域（晶體管柵極電介質(zhì)層（高k材料），光電元件的涂層，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層，（2）納米技術(shù)領(lǐng)域（中空納米管，隧道勢(shì)壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，納米晶體，納米結(jié)構(gòu)，中空納米碗，存儲(chǔ)硅量子點(diǎn)涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米線的涂層）。（3）可沉積材料類型，金屬氧化物ZnO，TiO2，Al2O3，SnO2，金屬Pt，Ir等。

原子層沉積設(shè)備（ALD）的應(yīng)用范圍

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2021年全球原子層沉積設(shè)備（ALD）市場(chǎng)銷售額從2017年的17.12增長(zhǎng)至21.57億美元，預(yù)計(jì)2022年全球原子層沉積設(shè)備（ALD）市場(chǎng)銷售額約22.56億美元。

2017-2022年全球原子層沉積設(shè)備（ALD）市場(chǎng)銷售額走勢(shì)

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全球原子層沉積設(shè)備（ALD）的主要生產(chǎn)企業(yè)集中在歐洲，美國(guó)，中國(guó)和日本。中國(guó)原子層沉積設(shè)備（ALD）市場(chǎng)規(guī)模在全球排在前列，2021年中國(guó)原子層沉積設(shè)備（ALD）市場(chǎng)規(guī)模占全球市場(chǎng)銷售總量的近30%。

2021年中國(guó)原子層沉積設(shè)備（ALD）市場(chǎng)規(guī)模占全球的比重

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本文部分?jǐn)?shù)據(jù)及圖片內(nèi)容節(jié)選自共研產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2029年中國(guó)原子層沉積設(shè)備（ALD）市場(chǎng)調(diào)查與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告》,更多信息及行業(yè)數(shù)據(jù)可登陸下方鏈接：

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