collecter集電區(qū)

emitter發(fā)射區(qū)

base基區(qū)

集電結(jié)Jc：靠近集電區(qū)的PN結(jié)。

發(fā)射結(jié)Je：靠近發(fā)射區(qū)的PN結(jié)。

集電區(qū)：收集載流子。

發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子。

基區(qū)：控制載流子。

NPN管載流子是電子，PNP管是空穴。

發(fā)射區(qū)：摻雜濃度要高。

集電區(qū)：像倉庫一樣收集載流子，因此體積要大。

基區(qū)：摻雜濃度低，做得很薄。

放大狀態(tài)下，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

NPN管符號：箭頭外指。

PNP管符號：箭頭內(nèi)指。

(箭頭的方向是P→N的方向)

三個過程：

1.發(fā)射結(jié)正偏，所以發(fā)射區(qū)電子注入基區(qū)，產(chǎn)生電流Ie。

2.注入到基區(qū)的電子，有一部分要與那里的空穴復(fù)合，復(fù)合后，基區(qū)空穴數(shù)變少。

為了維持基區(qū)空穴濃度不變，需要從外部補充空穴，也就是提供電流Ib。

3.除復(fù)合外，基區(qū)還聚集有許多電子，而集電結(jié)是反偏的，因此這些電子漂移到集電區(qū)，產(chǎn)生電流Ic。

Ie=Ic(大)+Ib(小)

忽略的細節(jié)：

1.忽略了“集電結(jié)反向飽和電流”Icbo：發(fā)射區(qū)電子注入到基區(qū)，而這些電子從基區(qū)漂移到集電區(qū)的電流又不完全等于Ic。因為集電區(qū)的少子空穴也會向基區(qū)運動，基區(qū)自身的電子(非注入)也會向集電區(qū)運動。

Ic=Icn+Icbo

2.忽略了“空穴擴散電流”Iep：電流Ie也由兩部分組成——注入到基區(qū)的電子產(chǎn)生的電流Ien，空穴反方向從B→E的電流Iep。

Ie=Ien+Iep≈Ien

3.提供給基區(qū)的電流不完全等于Ib，集電區(qū)向基區(qū)運動的空穴起到了與Ib相同的作用，同時如2所提到的：基區(qū)空穴也會擴散出去。

所以從基區(qū)自身看 Ib=Ibn+Iep(出去的補上)-Icbo(進來的去掉)

Ib也等于：Ib=Ie-Ic=Iep+Ien-Icn-Icbo

放大系數(shù)β=Ic/Ib

例如：從發(fā)射區(qū)過去1000個電子，在基區(qū)復(fù)合200個，980個到達集電區(qū)。這個比值是確定的50倍，是常數(shù)。