P2 的一些補(bǔ)充 關(guān)于摻雜后 多子和少子濃度的問題

ni 表示的是本征半導(dǎo)體的某一載流子濃度

可以是電子也可以是空穴濃度 反正對于本征態(tài)來說他們兩個是相等的所以可以任意理解為其中一個

當(dāng)我們向本征半導(dǎo)體中摻雜時 我們認(rèn)為自由電子的濃度等于摻雜原子濃度 因為從數(shù)量級上來說 本征半導(dǎo)體原來自有的自由電子濃度實(shí)在是太低了

n代表自由電子的濃度

p代表空穴的濃度

對于本征硅 n等于p等于ni

于是有以下公式

對于摻雜后的硅來說 依然符合這個公式

ND 施主雜質(zhì)濃度 NA受主雜質(zhì)濃度

其中d取自單詞donate a取自單詞accept

有趣的是對于n型半導(dǎo)體來說

ND大約等于n 也就是說施主雜質(zhì)的濃度約等于自由電子的濃度 （其實(shí)也沒什么有趣的就是施主雜志的濃度太大了應(yīng)該是。。。。）

我們由此可以推斷出的是 如果我們?yōu)榱颂岣咦杂呻娮拥臐舛葥诫s施主半導(dǎo)體 那么根據(jù)

上面提到的公式

在n型半導(dǎo)體中 隨著溫度的增加 電子濃度和空穴濃度會發(fā)生什么變化？

電子的濃度不會發(fā)生太大的變化因為他約等于摻雜的施主雜質(zhì)的濃度

但是本征載流子濃度ni會隨著溫度的增高而迅速增高 而p約等于ni方除以ND（ND=n）

所以p隨著ni的增加迅速增加

所以比例如下圖

其實(shí)也就是 兩者都增加了 但是因為數(shù)量級的差異 p增加的明顯更多

以上內(nèi)容和公式引自拉扎維視頻

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