書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：硅半導(dǎo)體器件加工制造

編號：JFKJ-21-155

作者：炬豐科技

流程概覽

? 硅半導(dǎo)體器件加工的描述，可以是分立器件（僅包含一個有源器件的半導(dǎo)體，例如晶體管）或 IC（能夠執(zhí)行至少一個電子電路功能的單個半導(dǎo)體襯底內(nèi)的有源和無源元件的互連陣列） ，涉及許多高度文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁技術(shù)性和特定的操作。本說明的目的是提供基本框架和解釋，用于制造硅半導(dǎo)體器件的主要組件步驟以及相關(guān)的環(huán)境、健康和安全問題。

? IC 的制造涉及一系列過程，在電路完成之前，這些過程可能會重復(fù)多次。最流行的 IC 使用 6 個或更多掩膜來完成圖案化工藝，典型的是 10 到 24 個掩膜。微電路的制造始于直徑 4 至 12 英寸的超高純度硅晶片。完全純凈的硅幾乎是一種絕緣體，但某些雜質(zhì)（稱為摻雜劑）以百萬分之 10 到 100 的量添加，使硅導(dǎo)電。

? 集成電路可以由數(shù)百萬個由摻雜硅制成的晶體管（還有二極管、電阻器和電容器）組成，所有晶體管都通過適當(dāng)?shù)膶?dǎo)體模式連接，以創(chuàng)建計算機(jī)邏輯、存儲器或其他類型的電路。在一塊晶圓上可以制作數(shù)百個微電路。

? 六個主要的制造工藝步驟適用于所有硅半導(dǎo)體器件：氧化、光刻、蝕刻、摻雜、化學(xué)氣相沉積和金屬化。接下來是組裝、測試、標(biāo)記、包裝和運輸。

氧化???略

光刻???略

濕化學(xué)??略

化學(xué)氣相沉積???略