一：《半導體硅淀積和刻蝕》

二：《硅片制備中的熱工設備介紹》

三：《直拉單晶硅工藝技術》

四：《6英寸重摻砷硅單晶及拋光片》

五：《300mm硅單晶及拋光片標準》

六：《化學機械拋光技術的研究進展》

七：《半導體單晶拋光片清洗工藝分析》

八：《硅片的表面起伏問題與解決方案》

九：《半導體制造工藝中的化學原理》

十：《半導體CMP和蝕刻流程》

十一：《硅拋光片CMP市場和技術現(xiàn)狀》

十二：《化學機械拋光液行業(yè)研究》

十三：《直徑12英寸硅單晶拋光片》

十四：《半導體IC清洗技術》

十五：《化學機械拋光技術及SiO2拋光漿料研究進展》

十六：《半導體IMEC清洗工藝》

十七：《硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理》

十八：《化學機械拋光CMP技術存在的問題》

十九：《雙極型集成電路和MOS集成電路優(yōu)缺點》

二十：《表面活性劑在半導體硅材料加工技術中的應用》