科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)6月29日訊，普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司公告，公司使用超募資金2.83億元(含利息及現(xiàn)金管理收益)用于投資建設(shè)新項(xiàng)目基于存儲(chǔ)芯片的衍生芯片開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

公司資料顯示，普冉股份成立于2016年1月，是一家低功耗SPI NOR Flash 存儲(chǔ)器芯片和高可靠性IIC EEPROM存儲(chǔ)器芯片的供應(yīng)商。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)是非易失性存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、家電、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。近年來(lái)，公司產(chǎn)品憑借低功耗和高可靠性等特點(diǎn)受到了市場(chǎng)及行業(yè)的廣泛認(rèn)可，業(yè)務(wù)收入保持快速增長(zhǎng)趨勢(shì)，現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)重要的存儲(chǔ)器芯片提供商之一。

作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新者，普冉股份聯(lián)合國(guó)內(nèi)領(lǐng)先晶圓廠，整合先進(jìn)的設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)勢(shì)，致力于研發(fā)28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品，其可應(yīng)用于傳統(tǒng)的消費(fèi)類(lèi)和工業(yè)市場(chǎng)以及新興的應(yīng)用市場(chǎng)。普冉股份的NOR型串行Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有極具競(jìng)爭(zhēng)力的裸芯片尺寸和高性能優(yōu)勢(shì)，為MCP和MCU方案商提供了一個(gè)很好的選擇。此外，普冉股份推出的130nm非易失性IIC EEPROM存儲(chǔ)器具備業(yè)界領(lǐng)先的400萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命、6KV靜電防護(hù)能力、極低的工作電流和靜態(tài)功耗，現(xiàn)已在智能電網(wǎng)、汽車(chē)前裝、工業(yè)控制以及新興的IoT領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

根據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，普冉股份目前共有80余件專(zhuān)利申請(qǐng)，其中發(fā)明專(zhuān)利超過(guò)70件，公司專(zhuān)利布局主要聚焦于存儲(chǔ)器、電荷泵等相關(guān)領(lǐng)域。