繼超光系列裸條之后，朗科又推出馬甲條越影系列，目前擁有2666、3200、3600MHz等頻率，提供8GB單條，16GB套裝容量。我們拿到了朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存單條，采用原廠顆粒，具備不俗的超頻潛力，接下來帶你們了解詳情朗科這款新品。

外觀及細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)：

這是單條裝，外包裝小巧，左邊是“Netac朗科越影DDR4電競(jìng)內(nèi)存”的字樣，右側(cè)有一個(gè)可視小窗口，可看到內(nèi)存散熱片上的“越影 DDR4”字樣。包裝的右下提示有“終身保固”，朗科旗下的內(nèi)存均提供終身質(zhì)保。

朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存采用鋁合金材質(zhì)的散熱片，主體為黑色及灰色搭配，鋁合金的表面進(jìn)行拉絲工藝處理，頂部采用鋸齒狀鰭片設(shè)計(jì)，增添幾分靈動(dòng)，不至于太死板，又能增大散熱面積。比起金士頓Fury，海盜船復(fù)仇者，我覺得朗科越影內(nèi)存的外觀更討人喜歡，屬于百搭風(fēng)格。

▲朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存的背面

裝備金屬散熱片，除了比裸條顏值高外，通過導(dǎo)熱硅膠，散熱片緊緊與內(nèi)存顆粒貼合在一起，熱量傳導(dǎo)更高效，保證內(nèi)存高頻工作時(shí)，也能處于理想的溫度狀態(tài)下。

朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存散熱片的高度大約為30mm，比市面上很多的馬甲條都矮，對(duì)CPU風(fēng)冷散熱器的兼容性更好。不用擔(dān)心因內(nèi)存高度問題，裝不下CPU散熱器。

內(nèi)存的金手指經(jīng)過鍍金工藝處理，強(qiáng)化導(dǎo)電性能與耐腐蝕性，可長(zhǎng)期穩(wěn)定使用，避免你遇到“橡皮擦內(nèi)存”的窘境。

內(nèi)存出廠前，不管多高的設(shè)定頻率，都會(huì)跑在JEDEC規(guī)定的2133、2400或2666MHz頻率下，這時(shí)高頻內(nèi)存就需要XMP技術(shù)支持。朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存支持Intel 最新的XMP 2.0或AMD平臺(tái)的A-XMP技術(shù)，只需在主板BIOS中一鍵開啟，內(nèi)存就能運(yùn)行在3200MHz頻率下，對(duì)小白的用戶很友好。

在出廠前，朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存經(jīng)過嚴(yán)苛檢測(cè)流程，通過各大主板廠商的兼容性認(rèn)證，不管是Intel平臺(tái)，還是AMD平臺(tái)，均能保持出色的兼容性，包括最新Intel 11代酷睿平臺(tái)及AMD 5000系列銳龍平臺(tái)。

內(nèi)存的標(biāo)簽，工作頻率是3200MHz，時(shí)序?yàn)镃L16（16-20-20-40-2T），工作電壓1.35V，容量為單條8GB。

內(nèi)存顆粒信息：

我用到一款叫Thaiphoon Burner的臺(tái)風(fēng)軟件，可識(shí)別到內(nèi)存顆粒信息，如下：

朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存使用的【海力士（Hynix）H5AN8G8NDJR-VKC】顆粒。即海力士的DJR顆粒，最新15nm制程的D-die顆粒，誠(chéng)意滿滿。

海力士第一批DDR4顆粒為MFR，稱為M-Die，25nm制程，穩(wěn)定耐用性好，超頻能力一般；2015年后海力士推出AFR顆粒，也稱為A-Die，21nm制程，比MFR超頻能力好，突破3200、3600MHz頻率并不難，但在高頻下時(shí)序不太好看；近兩年來，為了追趕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，海力士拿出CJR顆粒，即C-Die顆粒，這是第三代8Gb顆粒，1xnm(18nm)制程，體質(zhì)比較好，輕松上3600MHz高頻。而最新的DJR顆粒，基于15nm工藝制程，超頻潛力比CJR還要好，體質(zhì)更上一層樓。

據(jù)我了解，一些品牌主流定位的產(chǎn)品選用的DRAM顆粒品質(zhì)參差不齊，甚至?xí)捎昧计返偷慕导?jí)顆粒，比如Spectek的大S顆粒，大家買內(nèi)存時(shí)要多留意。

測(cè)試平臺(tái)及超頻測(cè)試：

處理器：Intel Core i7-11700F

主板：技嘉B560M AORUS PRO AX雪雕

內(nèi)存：朗科越影DDR4-3200MHz 8G

顯卡：七彩虹iGame GeForce RTX 3060 Ultra W OC

硬盤：金士頓KC2000 500G M.2

電源：鑫谷昆侖KL-750G 750W

散熱器：鑫谷冰封360一體式水冷

內(nèi)存的超頻比顯卡/CPU來得實(shí)在，可操作性也高。我手上有一顆11代酷睿i7-11700F處理器，主板是B560，這一代B560主板開放內(nèi)存超頻限制，看看朗科越影DDR4-3200MHz 8G在這套平臺(tái)上表現(xiàn)如何吧？

內(nèi)存的SPD信息

從CPU-Z的SPD看到，JEDEC預(yù)設(shè)有三組，朗科越影DDR4-3200MHz 8G選用中間那組參數(shù)，2666MHz，19-19-19-43時(shí)序，1.2V電壓。內(nèi)置一組XMP-3200，時(shí)序16-20-20-40，工作電壓1.35V。

不開啟XMP，內(nèi)存跑2666MHz頻率

開啟XMP之后，內(nèi)存頻率工作在3200MHz頻率

接著對(duì)這款內(nèi)存進(jìn)行了超頻嘗試：

初試3600MHz

首先是從3200MHz到3600MHz，在Gear1模式，不分頻，主時(shí)序保持在CL16，tRCD，tRP，tRAS三個(gè)時(shí)序稍收緊，順利進(jìn)入系統(tǒng)，并通過測(cè)試。

▲挑戰(zhàn)4000MHz超高頻

11代酷睿處理器有內(nèi)存分頻機(jī)制，超過3600MHz頻率后，就從Gear1切換Gear2的1：2分頻模式。在這種模式下，內(nèi)存容易挑戰(zhàn)更高的頻率，但是內(nèi)存的延遲會(huì)提高。

經(jīng)過我們的嘗試，朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存時(shí)序鎖定在18-25-25-45-2T，電壓的話，從1.35V提高至1.45V，同時(shí)優(yōu)化了tRFC，tREFI等時(shí)序，另外提升CPU內(nèi)存控制器相關(guān)電壓，最終在4000MHz高頻成功進(jìn)入系統(tǒng)。

4000MHz頻率下通過穩(wěn)定性測(cè)試

在4000MHz頻率下，通過半個(gè)小時(shí)的AIDA64軟件內(nèi)存穩(wěn)定性測(cè)試，期間沒有出現(xiàn)報(bào)錯(cuò)，證明超頻后的穩(wěn)定性是可以的。

沖擊4266MHz的高頻

接著我們挑戰(zhàn)了一下4266MHz，能進(jìn)入系統(tǒng)，但是不能通過這個(gè)平臺(tái)的穩(wěn)定性測(cè)試，拉高時(shí)序也不行，這部分性能測(cè)試就不給大家展示。

超頻過程小結(jié)：朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存的超頻潛力超出我們的預(yù)期，之前體驗(yàn)過金士頓Fury，海盜船復(fù)仇者，基本上出廠即灰燼，可超的空間有限。而且我這次使用的是B560主板，雖說開放超頻，但內(nèi)存超頻并不是這個(gè)級(jí)別主板強(qiáng)項(xiàng)。如果在那種特別能超內(nèi)存的主板，像微星MEG、ROG Z590-I等，再配合帶K能超頻的CPU，我相信還可以突破更高的頻率。

性能測(cè)試：

性能測(cè)試部分，測(cè)試了默認(rèn)的DDR4-2666MHz，開啟XMP至3200MHz，超頻至3600MHz以及4000MHz，看看各個(gè)頻率的成績(jī)?nèi)绾危?/p>

AIDA64性能測(cè)試：

▲朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存在3200MHz頻率下的成績(jī)

▲各個(gè)頻率下的成績(jī)對(duì)比

首先是AIDA64的內(nèi)存帶寬測(cè)試，從2666MHz到3200MHz，性能提升明顯，讀/寫/復(fù)制分別提升16%、15.8%、26%。超頻之后，內(nèi)存帶寬總體上是隨著頻率提升而提升的，3200到3600MHz，提升幅度是可以的，到了4000MHz后，反而沒有想象中給力。

▲各個(gè)頻率下的成績(jī)對(duì)比

內(nèi)存延遲部分，超到4000MHz高頻，內(nèi)存控制器的分頻機(jī)制存在，反而要比3600MHz延遲還要高。11代酷睿的分頻機(jī)制，一半是海水，一半是火焰，需要繼續(xù)挑戰(zhàn)更高的內(nèi)存頻率，才能拉低延遲。

SiSoftware Sandra 內(nèi)存帶寬測(cè)試：

▲朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存在3200MHz頻率下的成績(jī)

▲各個(gè)頻率下的成績(jī)對(duì)比

超頻之后，內(nèi)存帶寬可以獲得穩(wěn)步的提升，基本跟AIDA64中測(cè)試結(jié)果相符。

3D Mark Time Spy物理測(cè)試：

▲朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存在3200MHz頻率下的成績(jī)

▲各個(gè)頻率下的成績(jī)對(duì)比

內(nèi)存頻率高低會(huì)影響到CPU的性能發(fā)揮，在3DMark Time Spy測(cè)試中，2666MHz到3200MHz提升800多分，約為10%幅度。單通道后，CPU對(duì)內(nèi)存頻率高低更敏感。超頻至3600、4000MHz，物理項(xiàng)得分也有提高。

游戲測(cè)試：

游戲測(cè)試，選擇《英雄聯(lián)盟》，這種吃CPU單核高幀游戲，對(duì)內(nèi)存帶寬、延遲比較敏感。我們選擇了8分鐘的游戲錄像統(tǒng)計(jì)平均幀數(shù)。

▲各個(gè)頻率下的成績(jī)對(duì)比

在DDR4-4000MHz頻率下，幀數(shù)是最好的，但與DDR4-3600MHz的表現(xiàn)差距并不大，接著是3200MHz和2666MHz。像這類游戲?qū)?nèi)存帶寬要求高，能夠超頻的話，帶來幀數(shù)提升比升級(jí)CPU或者顯卡來得更實(shí)在，遺憾的是4000MHz有高延遲，表現(xiàn)沒有想象中好。

總結(jié)

朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存采用原廠顆粒，配備散熱馬甲，兼容性出色，超頻潛力不俗，關(guān)鍵是價(jià)格也實(shí)惠，比起同級(jí)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，像金士頓FURY，海盜船復(fù)仇者等，除了品牌溢價(jià)能力差一點(diǎn)，其他方面是有掰手腕的實(shí)力。

不過8GB內(nèi)存容量著實(shí)不夠用，要買的話，建議入手兩條8GB，組雙通道16GB容量，且內(nèi)存運(yùn)行雙通道模式性能大幅度提升。近期內(nèi)存在漲價(jià)，如果你要升級(jí)內(nèi)存或新裝機(jī)的朋友，可以關(guān)注這款性價(jià)比不錯(cuò)的內(nèi)存，感興趣的用戶可前往朗科京東官方店了解更多詳情。