書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：檸檬酸清洗液對(duì)金屬表面污染物去除效果評(píng)價(jià)?

編號(hào)：JFKJ-21-190

作者：炬豐科技

摘要:

? 我們研究了基于檸檬酸的清洗液來去除金屬污染物硅片表面。采用旋涂法對(duì)硅片進(jìn)行Fe、Ca、Zn、Na、Al、Cu等標(biāo)準(zhǔn)污染，并在各種添加Ca的清洗液中進(jìn)行清洗。金屬的濃度采用氣相分解耦合等離子體質(zhì)譜儀對(duì)清洗前后硅片表面的污染物進(jìn)行分析。并對(duì)其表面微粗糙度進(jìn)行了測(cè)量通過原子力顯微鏡來評(píng)估清洗溶液的效果。結(jié)果表明:CA/H2O溶液呈酸性能去除硅表面的金屬污染物。硅表面的Fe、Ca、Zn和Na從1012個(gè)原子/cm2的數(shù)量級(jí)下降到大約是109個(gè)原子/平方厘米即使在低CA濃度，低溫度下CA溶液，浸漬時(shí)間短。CA在堿清洗溶液中也有很好的效果。鐵，鈣，鋅，鈉和銅被還原為109個(gè)原子/平方厘米在CA加入NH4OH/H2O2/H2O溶液中不降解表面。 ?

關(guān)鍵詞:檸檬酸，硅片，金屬污染物，氣相分解 ?。

介紹 ?

? 隨著 integrated 設(shè)備超大規(guī)模工藝對(duì)污染物的要求越來越嚴(yán)格，清潔工藝變得更加重要。晶圓片表面的金屬污染物是其性能的主要，例如增加p-n結(jié)漏電，降低氧化物擊穿電壓，加速載流子壽命的測(cè)定。據(jù)報(bào)道硅表面的金屬污染需要加以抑制小于1×1010原子/cm2用于制造64兆DRAM以防止上述故障的發(fā)生。在未來，這個(gè)級(jí)別應(yīng)該精確到1×109原子/平方厘米。首次提出了基于H2O2化學(xué)的濕法清洗技術(shù)通過Kern仍然主要用于半導(dǎo)體設(shè)備制造去除污染物，并已在最近幾年的各種方法，以提高清潔效果或減少化學(xué)物質(zhì)的消耗。略

結(jié)果與討論???略