《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》制造 CMOS集成電路
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》
文章:制造 CMOS集成電路
編號(hào):JFSJ-21-032
作者:炬豐科技
網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html
?
大綱:
一、CMOS制造工藝概述
二、CMOS制造工藝流程
三、設(shè)計(jì)規(guī)則
CMOS制造:
1.CMOS晶體管是在硅片上制造的
2.光刻工藝 類似于印刷機(jī)
3.在每一步,不同的材料被沉積或 蝕刻
4.通過在簡(jiǎn)化的制造過程中查看晶圓的頂部和橫截面,最容易理解
逆變器截面:
1.通常 nMOS晶體管使用p型襯底
2.需要 n 阱作為 pMOS 晶體管的主體文章全部詳情,請(qǐng)加V獲?。篽lknch?/ xzl1019

出色地和基板絲錐:
1.襯底必須連接到 GND,n 阱連接到 VDD
2.金屬到輕摻雜半導(dǎo)體形成不良 稱為肖特基二極管的連接
3.使用重?fù)诫s阱和襯底觸點(diǎn)/分接頭

如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
標(biāo)簽: