書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：CMOS制造

編號(hào)：JFSJ-21-039

作者：炬豐科技

網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html

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通過(guò)光刻版圖形成工藝的實(shí)際制造過(guò)程：

生長(zhǎng)晶體硅 (1); 做一個(gè)晶圓(2–3); 培養(yǎng)二氧化硅爐中的（氧化）層 (4); 涂液體光刻膠（抗蝕劑）(5); 面具曝光(6); 晶片的橫截面，顯示了顯影后的抗蝕劑(7); 蝕刻氧化層(8); 離子注入(9–10); 剝離抗蝕劑(11); 剝離氧化物(12).文章全部詳情，請(qǐng)加V獲?。篽lknch?/ xzl1019

退火：1.種植體完成后熱退火循環(huán)

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