《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》--技術(shù)資料合集七
一:《單片式清洗設(shè)備》
二:《化合物半導(dǎo)體的晶圓級(jí)封裝》
三:《電化學(xué)腐蝕原理》
四:《二氧化硅化學(xué)干法蝕刻工藝》
五:《光刻技術(shù)原理》
六:《局部電鍍方法》
七:《化學(xué)品分類(lèi)大全》
八:《寬禁帶半導(dǎo)體蝕刻工藝》
九:《晶圓級(jí)封裝技術(shù)》
十:《有機(jī)電子材料》
十一:《膜電極化學(xué)處理》
十二:《離子注入主要應(yīng)用領(lǐng)域》
十三:《全息光學(xué)透鏡原理》
十四:《硫酸制造工藝》
十五:《CMOS圖像傳感器的原理》
十六:《單晶片處理器制造工藝》
十七:《電化學(xué)水處理技術(shù)》
十八:《硫酸提純工藝》
十九:《晶體的X射線(xiàn)衍射原理》
二十:《納米壓印光刻技術(shù)工藝》
二十一:《納米薄膜材料介紹》
二十二:《晶體生長(zhǎng)技術(shù)》
二十三:《射頻微波功率芯片工藝》
二十四:《氮化硅蝕坑的觀察與研究》
二十五:《超聲換能器的原理》
二十六:《離子注入技術(shù)》
二十七:《sunburst兆聲清洗系統(tǒng)》
二十八:《鉭酸鋰的制備方法》
二十九:《三元氮化物半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)》
三十:《微電子和太陽(yáng)能光伏硅材料制造工藝》
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