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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》--技術(shù)資料合集七

2021-08-18 13:44 作者:華林科納  | 我要投稿

一:單片式清洗設(shè)備

二:化合物半導(dǎo)體的晶圓級(jí)封裝

三:《電化學(xué)腐蝕原理》

四:二氧化硅化學(xué)干法蝕刻工藝

五:光刻技術(shù)原理

六:局部電鍍方法

七:《化學(xué)品分類(lèi)大全》

八:寬禁帶半導(dǎo)體蝕刻工藝

九:晶圓級(jí)封裝技術(shù)

十:《有機(jī)電子材料》

十一:膜電極化學(xué)處理

十二:離子注入主要應(yīng)用領(lǐng)域

十三:《全息光學(xué)透鏡原理》

十四:《硫酸制造工藝》

十五:CMOS圖像傳感器的原理

十六:《單晶片處理器制造工藝》

十七:《電化學(xué)水處理技術(shù)》

十八:《硫酸提純工藝》

十九:《晶體的X射線(xiàn)衍射原理》

二十:納米壓印光刻技術(shù)工藝

二十一:《納米薄膜材料介紹》

二十二:晶體生長(zhǎng)技術(shù)

二十三:射頻微波功率芯片工藝

二十四:《氮化蝕坑的觀察與研究》

二十五:《超聲換能器的原理》

二十六:離子注入技術(shù)

二十七:《sunburst兆聲清洗系統(tǒng)》

二十八:酸鋰的制備方法》

二十九:《三元氮化物半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)》

三十:微電子和太陽(yáng)能光伏硅材料制造工藝


《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》--技術(shù)資料合集七的評(píng)論 (共 條)

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