晶體缺陷

1.名詞解釋

2.分類：點、線、面、（體）缺陷

3.形成原因：（分子熱運動）、晶體形成條件（如快速冷卻）、加工過程（如擠壓、拉拔）、雜質(zhì)（如S、P）

重點

本次大綱

1.點缺陷的形成

2.點缺陷的分類

雜質(zhì)原子有可能在間隙位置、也可能在正常節(jié)點位置

熵值越大，越混亂，越穩(wěn)定

F=U-TS

原子振動（熱起伏）

過飽和點缺陷形成的方法：高溫淬火、冷加工變形、高能粒子輻照效應(yīng)

點缺陷運動：遷移和復(fù)合

3.點缺陷對性能的影響

增大金屬的電阻（阻礙電子定向移動），增大離子晶體的導(dǎo)電性

（空位也能造成）體積膨脹，密度減小

過飽和點缺陷會形成畸變能，增大屈服強度

SUM

作業(yè)