一、寫在前面

相信大家都聽說過三星B-Die顆粒，由于其超強(qiáng)的超頻性能，在玩家之間口口相傳，絕大多數(shù)DIY玩家都聽說過這個(gè)名字。三星在19年宣布停產(chǎn)B-Die顆粒，其逐漸成為了歷史里的腳印。除了三星的B-Die顆粒之外，海力士的CJR顆粒性能強(qiáng)的測(cè)試也是頻頻出現(xiàn)在眼前。

CJR顆粒是SK海力士的C-Die顆粒，是繼MFR、AFR之后的第三代8Gbit顆粒，因?yàn)槠湫吞?hào)的后綴為CJR而得名，大家都習(xí)慣性的稱其為CJR顆粒。又因其不錯(cuò)的超頻潛力，被很多DIY硬件玩家所追捧。

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學(xué)弟手里也是搞到了一根科賦DDR4 ?8GB 3200MHz內(nèi)存，到手價(jià)為185元，算是一個(gè)比較不錯(cuò)的價(jià)格了。這款內(nèi)存使用了海力士CJR顆粒，工作電壓為1.2V，時(shí)序?yàn)镃L22-22-22，頻率為3200MHz。

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在評(píng)測(cè)之前先跟大家討論一下內(nèi)存這個(gè)東西，要想搞明白內(nèi)存，就必須要知道內(nèi)存的命名、內(nèi)存跟硬盤的區(qū)別、決定內(nèi)存性能的因素。下面一項(xiàng)一項(xiàng)的給大家講解一下，內(nèi)存的顆粒、時(shí)序等等等等到底是什么東西。

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二、內(nèi)存的命名

我們先說一下內(nèi)存的命名吧，就以學(xué)弟手里的這款科賦DDR4 3200MHz 8GB內(nèi)存為例，一般放在最前面的是內(nèi)存品牌名稱或內(nèi)存品牌產(chǎn)品系列名稱；“DDR4”的意思為第四代DDR內(nèi)存，在選購內(nèi)存時(shí)首先要注意的就是主板內(nèi)存接口類型，DDR3跟DDR4是不兼容的，DDR4也不向下兼容；要注意“3200MHz”并不是內(nèi)存本身的頻率，而是內(nèi)存廠商在出廠時(shí)能夠保證內(nèi)存穩(wěn)定運(yùn)行的一個(gè)頻率，后面會(huì)具體講；“8GB”就是內(nèi)存容量，除了8GB之外還有16GB或32GB的單條內(nèi)存。

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三、內(nèi)存跟硬盤的區(qū)別

很多電腦小白還會(huì)有疑問，就是內(nèi)存跟硬盤到底有什么區(qū)別？為什么同樣是300塊錢，買內(nèi)存只能買到8GB容量的，而硬盤能買到250GB以上的。

內(nèi)存又被稱為內(nèi)部存儲(chǔ)器，你可以把它理解成為硬盤數(shù)據(jù)跟CPU數(shù)據(jù)交換的中轉(zhuǎn)站。我們?cè)诖蜷_軟件或文檔時(shí)，你的文件會(huì)先從硬盤復(fù)制到內(nèi)存，然后CPU再跟內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。這是因?yàn)閮?nèi)存的讀寫速度要比硬盤快得多。你甚至可以把CPU看作是皇上，內(nèi)存看作是太監(jiān)，硬盤看作是你。你想向皇上提交一份奏章讓皇上審批，首先你需要現(xiàn)將奏章提交給太監(jiān)，太監(jiān)再遞給皇上。

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我們電腦中常用的內(nèi)存稱為動(dòng)態(tài)隨機(jī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，也叫DRAM，屬于臨時(shí)存儲(chǔ)器。拿出一條內(nèi)存，我們可以看到內(nèi)存上面有好幾個(gè)黑色的方塊，我們通常稱其為顆粒。由于DRAM的特性，當(dāng)內(nèi)存斷電之后，儲(chǔ)存在DRAM中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失，這也是我們關(guān)機(jī)后內(nèi)存中數(shù)據(jù)就會(huì)丟失的原因。

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除了電腦中的內(nèi)存之外呢，我們還常聽說“CPU緩存”這個(gè)名詞，“CPU緩存”其實(shí)也是一種內(nèi)存，它叫靜態(tài)隨機(jī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，也叫SRAM，價(jià)格非常貴，這也是目前CPU緩存容量比較少的一個(gè)原因。市面上一塊36MB容量的SRAM顆粒，就要300多塊錢。而硬盤則是屬于外部存儲(chǔ)器，它可以長(zhǎng)期的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，不受斷電影響，存儲(chǔ)容量也比較大。

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四、內(nèi)存條的組成

4.1內(nèi)存顆粒

再來說一下內(nèi)存條的組成，內(nèi)存條中的顆粒是整個(gè)內(nèi)存最重要的元件。內(nèi)存不跟硬盤一樣，沒有主控芯片。至于什么是顆粒，就是下圖內(nèi)存上黑色的小方塊?？瀑x這款內(nèi)存條整體采用了一個(gè)黑色的PCB，單面顆粒設(shè)計(jì)，在顆粒上方有科賦的貼紙以及防偽貼紙。

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除了顆粒之外，還有一個(gè)算是比較重要的東西，就是SPD芯片。SPD芯片能夠存儲(chǔ)該內(nèi)存的一些參數(shù)信息，通過AIDA64、CPU-Z等軟件就能讀取到SPD信息。下圖為例，科賦這根內(nèi)存條的SPD芯片位于內(nèi)存條的背面，部分內(nèi)存的SPD芯片可能位于內(nèi)存條正面。

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比如下面這張圖，通過CPU-Z就可以讀取到這款內(nèi)存的SPD信息，也能看到這款內(nèi)存的一些參數(shù)。包括頻率、顆粒制造商、型號(hào)、生產(chǎn)日期、時(shí)序、頻率等。

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4.2內(nèi)存馬甲

對(duì)了，內(nèi)存還分普條跟馬甲條，普條就是上面這種直接能看到PCB板和顆粒的內(nèi)存條。而馬甲條通常PCB版外面都有一層金屬的散熱馬甲覆蓋，部分馬甲條還會(huì)加入燈光燈效。當(dāng)然，同一款內(nèi)存，帶馬甲的內(nèi)存條要比普條貴一些。

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再來詳細(xì)說一下顆粒，目前全球能夠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的工廠有三星、海力士、鎂光、南亞、長(zhǎng)鑫。市面上百分之九十以上的內(nèi)存都是使用了三星、海力士、鎂光這三家顆粒。學(xué)弟手里要測(cè)試的這款科賦內(nèi)存使用的是來自海力士的顆粒。

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4.3內(nèi)存顆粒分類

對(duì)了，顆粒其實(shí)也是分原片、白片、黑片的。目前的市場(chǎng)來看，白片顆粒的內(nèi)存依舊存在，黑片內(nèi)存就非常少見了，大都是采用了原片顆粒的內(nèi)存。再簡(jiǎn)單說一下什么事原白黑片，原片就是經(jīng)過行業(yè)內(nèi)質(zhì)檢以及工廠質(zhì)檢合格的顆粒；白片僅通過了行業(yè)內(nèi)的質(zhì)檢，沒有通過工廠質(zhì)檢；黑片顆粒兩次質(zhì)檢都沒有通過?？瀑x這款內(nèi)存條使用的是原廠顆粒，撕下貼在內(nèi)存上面的標(biāo)簽就能看到內(nèi)存的生產(chǎn)廠商。只有經(jīng)過兩次質(zhì)檢合格的顆粒，才會(huì)打上顆粒制造商的logo。

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五、影響內(nèi)存性能的因素

再來說一下影響內(nèi)存性能的因素，一般情況下，影響內(nèi)存性能的因素有容量、內(nèi)存通道、頻率、時(shí)序四點(diǎn)。

5.1容量

如果你的內(nèi)存容量不夠用，會(huì)特別影響你的使用體驗(yàn)。對(duì)于工作黨來說，8GB容量起步。游戲玩家以及其他內(nèi)容工作者，建議16GB以上。

5.2雙通道

另外還有一個(gè)比較影響計(jì)算機(jī)性能的因素——雙通道！在你裝機(jī)的時(shí)候很多人都會(huì)推薦你去選擇雙8GB內(nèi)存，而不是單16GB內(nèi)存。

到底是為什么呢？

目的是為了出發(fā)雙通道貸款翻倍的收益！

內(nèi)存帶寬的計(jì)算方式如下，內(nèi)存帶寬=內(nèi)存核心頻率x內(nèi)存總線位寬x倍增系數(shù)。給大家據(jù)一個(gè)簡(jiǎn)單的例子，我們可以把“貨車”比做傳輸?shù)臄?shù)據(jù)，“車道”比做內(nèi)存通道，“限速”比做內(nèi)存核心頻率。單位時(shí)間內(nèi)從起點(diǎn)運(yùn)輸?shù)侥康牡囟嗌儇浳锞涂梢岳斫鉃閹挕：苊黠@，在理論情況下，雙通道內(nèi)存數(shù)據(jù)運(yùn)送量是翻倍增長(zhǎng)的。但在實(shí)際應(yīng)用中，雙通道內(nèi)存比單通道內(nèi)存性能提升40%左右，也具有著不錯(cuò)的效果。

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例子講的再通俗一點(diǎn)，如果你是雙通道內(nèi)存，就可以把QQ的數(shù)據(jù)拆散之后每一根內(nèi)存各存放一半的數(shù)據(jù)，然后兩根內(nèi)存同時(shí)與CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)運(yùn)算交換。

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5.3內(nèi)存頻率

除了雙通道之外，內(nèi)存的頻率也比較重要。頻率頻率，到底誰決定頻率呢？

內(nèi)存本身是沒有頻率的，我們常說的頻率是CPU訪問內(nèi)存的頻率。CPU每訪問內(nèi)存一次，都會(huì)向內(nèi)存條帶來或帶走一些數(shù)據(jù)。CPU每秒訪問內(nèi)存的次數(shù)越多，單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量也就越多，也可以簡(jiǎn)單的理解為內(nèi)存條的讀寫速度快。但是，內(nèi)存顆粒每秒承受的訪問次數(shù)是有上限的，訪問速度超過顆粒的承受上限，就會(huì)出現(xiàn)開不了機(jī)的情況。

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所以說，一款顆粒的好壞，最大程度上影響了內(nèi)存的超頻潛力以及性能。搭載好體質(zhì)顆粒的內(nèi)存具有更大的訪問速度承受能力，也就是我們常說的頻率?？瀑x這款內(nèi)存使用的是海力士的CJR顆粒，體質(zhì)不錯(cuò)，這也是很多人去買這款內(nèi)存的原因。

5.4內(nèi)存顆粒的查看

如果你是想去查看你的內(nèi)存使用的什么顆粒，可以使用Thaiphoon Burner這款軟件去檢測(cè)。在“DIE DENSITY/COUNT”一欄中，可以看到內(nèi)存搭載的是什么類型的顆粒。

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學(xué)弟手里的這款科賦DDR4 3200MHz 8GB內(nèi)存搭載的是海力士C-Die顆粒，由于顆粒型號(hào)的后綴為CJR，所以也被人稱為CJR顆粒。

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海力士的C-Die顆粒體質(zhì)評(píng)分為GOOD級(jí)別，可以說是有著很不錯(cuò)的體質(zhì)了。

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5.5最大支持的內(nèi)存頻率到底誰說了算

再簡(jiǎn)單說一下內(nèi)存頻率到底是有哪個(gè)東西限制的，我們經(jīng)常會(huì)看到一款處理器的最大支持內(nèi)存頻率為3200MHz，為什么我們還要買3600MHz甚至更高頻率的內(nèi)存呢？

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主板的參數(shù)上也會(huì)限制內(nèi)存頻率，那么到底該聽CPU的呢還是該聽主板的呢？

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答案是先看主板，再看CPU！如果你的主板所支持的內(nèi)存頻率比CPU支持的內(nèi)存頻率高，那么整個(gè)平臺(tái)所支持的最大頻率以主板為準(zhǔn)。還有很多主板都支持內(nèi)存超頻，支持的內(nèi)存頻率都比較高。如果你的主板所支持的內(nèi)存頻率比CPU支持的內(nèi)存頻率低，那么要以你的CPU支持的最高頻率為準(zhǔn)。

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5.6時(shí)序

再來談一下大多數(shù)玩家都不太懂的時(shí)序！

內(nèi)存的時(shí)序其實(shí)就是內(nèi)存的反應(yīng)時(shí)間，當(dāng)內(nèi)存收到CPU發(fā)來的指令后，多長(zhǎng)時(shí)間做出反應(yīng)，這就是內(nèi)存的時(shí)序。要想反應(yīng)的快，內(nèi)存的時(shí)序肯定是越低越好。

我們以科賦這根內(nèi)存條的時(shí)序?yàn)槔?，CL22-22-22-51（頻率3200MHz狀態(tài)下），時(shí)序中的四個(gè)數(shù)字分別對(duì)應(yīng)著CL-tRCD-tRP-tRAS。CL是指列地址訪問的延遲時(shí)間，是時(shí)序中最重要的參數(shù)；tRCD為內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間；tRP為內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間；tRAS為行地址激活時(shí)間。

內(nèi)存延遲的計(jì)算方法比較簡(jiǎn)單，公式為（CL*2000）/頻率=延遲。

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六、內(nèi)存的超頻

我們常聽到內(nèi)存超頻超頻，到底怎么超頻，XMP又是什么東西？

學(xué)弟在這里以科賦這根內(nèi)存條為例，為大家演示一下內(nèi)存如何超頻，順便測(cè)一下科賦這根內(nèi)存條的超頻潛力。然后再跟大家講一下XMP是什么東西，如何開啟XMP。

第一步，肯定是要將內(nèi)存條插在主板上，至于插哪個(gè)接口，最好以主板說明書的建議為準(zhǔn)。

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6.1測(cè)試平臺(tái)配置

主板：華碩ROG X570-E

處理器：AMD 銳龍7 3700X

顯卡：華碩ROG RX5700XT

內(nèi)存：科賦 DDR4 3200MHz 8GB

硬盤：西部數(shù)據(jù)SN750 512GB

電源：振華SF-750F14RG 額定750W

6.2測(cè)試環(huán)節(jié)介紹

測(cè)試環(huán)節(jié)共分為兩部分，第一部分為主板BIOS無任何修改的情況下的測(cè)試；第二部分為手動(dòng)超頻模式下的測(cè)試。先看一下臺(tái)風(fēng)檢測(cè)出的信息吧，顆粒生產(chǎn)廠商為海力士，顆粒類型為C-Die，單面顆粒，電壓1.20V，時(shí)序?yàn)镃L22-22-22-51。

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6.3 test 1

該內(nèi)存默頻狀態(tài)下的頻率為3200MHz，本身就有著一個(gè)不錯(cuò)的頻率，如果你不想去深度的挖掘內(nèi)存潛力，我覺得3200MHz這個(gè)頻率下也夠用了。

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看一下默認(rèn)插入內(nèi)存條，其他均不進(jìn)行設(shè)置下的跑分結(jié)果。AIDA64 Cache＆Memory Benchmark程序的測(cè)試中，讀為24132MB/s,寫為23734MB/s，復(fù)制為24040MB/s，延遲為79.0ns。

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跑分方面，學(xué)弟這邊使用了經(jīng)典版本的魯大師，版本為520.1240。雖然魯大師跑分具有波動(dòng)性，但是跑分成績(jī)還是具有一定的參考性的。內(nèi)存處于默認(rèn)狀態(tài)下，魯大師綜合跑分為577824分，其中內(nèi)存性能得分11013分。

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6.4 test2

AMD銳龍平臺(tái)有一款叫做Ryzen DRAM Calculator的軟件，又叫銳龍平臺(tái)內(nèi)存超頻計(jì)算器。這款軟件可以幫你計(jì)算超頻的參數(shù)，個(gè)人覺得還是比較好用的。使用方法也比較簡(jiǎn)單，下載完成后打開，根據(jù)你目前使用的電腦填寫相關(guān)參數(shù)即可。什么架構(gòu)的處理器就填什么架構(gòu)，學(xué)弟使用的是Zen2架構(gòu)的3700X，海力士CJR顆粒，1條內(nèi)存，預(yù)設(shè)頻率3466，主板為X570芯片組。

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填完處理器、主板、內(nèi)存顆粒等信息之后，需要導(dǎo)入XMP。XMP可以使用Thaiphoon Burner軟件生成，點(diǎn)擊Read讀取內(nèi)存SPD之后，點(diǎn)擊上方菜單欄中的Export，選擇生成Html格式的文件。

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將Thaiphoon軟件導(dǎo)出的html文件導(dǎo)入到銳龍內(nèi)存超頻計(jì)算器中，即可以看到軟件左下角部分的參數(shù)已經(jīng)自動(dòng)填充了。

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這個(gè)時(shí)候你就可以選擇計(jì)算了，可以計(jì)算保守、高性能、極致三種性能參數(shù)，建議計(jì)算保守性能，更穩(wěn)定一些。點(diǎn)擊計(jì)算之后軟件頁面的小框框就會(huì)被數(shù)字填充。記得截圖保存，或者是用手機(jī)拍一下照片。

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接下來我們需要進(jìn)入主板的BIOS對(duì)內(nèi)存的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，也就是所謂的超頻。調(diào)整完成后按下F10保存修改，重啟電腦。

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學(xué)弟嘗試了上更高的頻率，頻率能上去，但是時(shí)序太高了，導(dǎo)致內(nèi)存的延遲超過80ns。最終還是建議超3466MHz，最終時(shí)序?yàn)镃16-19-27-56，電壓為1.36V，內(nèi)存延遲為71.3ns，小伙伴可以直接抄作業(yè)。超頻之后可以看到，內(nèi)存的讀寫復(fù)制速度都有一定的提升。

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魯大師綜合跑分604878分，其中內(nèi)存得分11100分，相比test2在跑分上也有所提升。

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七、寫在最后

7.1抄作業(yè)

如果你也是買了科賦DDR4 3200MHz 8GB這根普條，那么你直接抄學(xué)弟的作業(yè)即可。

7.2個(gè)人體驗(yàn)

個(gè)人感覺科賦這根DDR4 3200MHz 8GB普條表現(xiàn)優(yōu)異，不到200塊錢的售價(jià)，使用了海力士CJR顆粒，3466MHz能壓到C16時(shí)序，CJR顆粒體質(zhì)可以說是很不錯(cuò)了。一款顆粒體質(zhì)好的內(nèi)存，能讓你獲得免費(fèi)的性能提升，感覺還是非常棒的。超頻的整個(gè)過程，也是我個(gè)人最喜歡的地方。成功將時(shí)序壓到C16后，第一時(shí)間發(fā)了個(gè)朋友圈，讓買了這款內(nèi)存的朋友可以直接抄作業(yè)。

好啦~本篇內(nèi)存科普文章＆內(nèi)存超頻教程就到這里了，如果你有任何關(guān)于內(nèi)存的問題，可以在評(píng)論區(qū)留言。如果你覺得本篇文章還不錯(cuò)的話，歡迎多多點(diǎn)贊、收藏、打賞，感謝支持~