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FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT管40A 1200V

品牌：ASEMI

型號：FGL40N120AN

封裝：TO-247

電性參數(shù)：40A 1200V

正向電流：40A

反向耐壓：1200V

引腳數(shù)量：3

芯片個數(shù)：2

最大正向電流：240A

芯片大?。?/p>

包裝方式：管裝

產(chǎn)品類型：IBGT、大功率、高耐壓

種類：IGBT

操作溫度：-55°C~150°C

產(chǎn)品描述

ASEMI品牌FGL40N120AN的IGBT管參數(shù)規(guī)格：電流：40A；電壓：1200V；盒裝：

IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。