干貨| 了解有關(guān)齊納二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
齊納二極管是電子電路的一個(gè)基本構(gòu)建模塊,其作用是在達(dá)到特定反向電壓(常稱為齊納電壓)時(shí)允許大量電流反向流動(dòng)。達(dá)到或超過此反向擊穿電壓后,齊納二極管便以恒定基準(zhǔn)電壓運(yùn)行。齊納二極管常用來產(chǎn)生穩(wěn)定電壓,可廣泛用于需要將電壓鉗制或保持在某個(gè)限值以下的各種應(yīng)用。齊納二極管的另一重要應(yīng)用領(lǐng)域是鉗制不必要的過電壓以保護(hù) MOSFET。
齊納效應(yīng)和雪崩效應(yīng)
電壓不超過 5 V 時(shí),在反向偏置結(jié)的耗盡區(qū),電子從價(jià)帶進(jìn)入導(dǎo)電帶形成電子貫穿,從而產(chǎn)生電擊穿。一旦電場強(qiáng)度足夠高,自由電荷載流子就會(huì)導(dǎo)致反向電流陡然增加。此效應(yīng)由克拉倫斯·梅爾文·齊納(Clarence Melvin Zener)于 1934 年首次發(fā)現(xiàn),故以他的名字來命名此類二極管。唯樣商城在售二極管三極管MOSFET,品牌授權(quán)正品現(xiàn)貨。
如果電壓超過 5 V,另一種效應(yīng)會(huì)變得更加顯著。PN 結(jié)的電場會(huì)使過渡區(qū)中的電子加速,產(chǎn)生電子空穴對(duì)。這些空穴會(huì)向負(fù)極移動(dòng)并填上電子,而自由電子則向正極移動(dòng)。不斷移動(dòng)的空穴和電子通過釋放相鄰的束縛電子,可以產(chǎn)生更多攜帶高場強(qiáng)的電荷載流子。電荷載流子大量產(chǎn)生的過程迅速發(fā)展成雪崩,因此如果超過特定的反向電壓,就會(huì)有大量電流開始流動(dòng)。
△?齊納二極管的I-V特性
電壓容差
Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對(duì) 1.8 V 到 75 V 范圍的多種不同電壓制造了齊納二極管,并在規(guī)定的反向電流下測試了保證容差。標(biāo)準(zhǔn)容差為 B-selection ±2% 和 C-selection ±5% 左右。為滿足更高精度要求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)最近推出了 A-selection 齊納二極管的廣泛產(chǎn)品組合,容差為 ±1%。
要全面了解齊納二極管的更多信息,您可以下載并閱讀應(yīng)用筆記:《AN90031 齊納二極管 - 物理基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)及應(yīng)用示例》。??

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