濺射中直流、中頻和射頻有什么區(qū)別?各自有哪些用途?
濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),通過將材料靶放置在真空室中,施加高能粒子(離子)束轟擊靶材,使材料從靶表面脫離并沉積在基底上。根據(jù)粒子束的能量,濺射可以分為直流(DC)、中頻(RF)和射頻(RF)濺射。
直流濺射是指使用直流電源提供能量,產(chǎn)生的粒子束能量較低,適用于濺射金屬和高熔點材料,如鋁、銅、鐵、鈦等。直流濺射速率較慢,薄膜質(zhì)量較高,常用于制備金屬薄膜和高溫穩(wěn)定性材料薄膜。
中頻濺射是指使用中頻電源提供能量,產(chǎn)生的粒子束能量較高,適用于濺射絕緣體和低熔點材料,如氧化物、氮化物、硅等。中頻濺射速率較快,薄膜質(zhì)量較低,但可以得到均勻且致密的薄膜,常用于制備光學(xué)鍍膜和顯示器薄膜。
射頻濺射是指使用射頻電源提供能量,產(chǎn)生的粒子束能量介于直流濺射和中頻濺射之間,適用于濺射金屬和復(fù)雜合金材料。射頻濺射速率較快,薄膜質(zhì)量一般,但可以得到較大面積的均勻薄膜,常用于制備導(dǎo)電薄膜和金屬合金薄膜。
總結(jié)來說,直流濺射適用于金屬和高熔點材料,中頻濺射適用于絕緣體和低熔點材料,射頻濺射適用于金屬和復(fù)雜合金材料。具體選擇哪種濺射方式取決于所需薄膜的性質(zhì)和應(yīng)用。
標(biāo)簽: