控制柜,plc控制柜,變頻柜,軟啟動(dòng)柜,低壓配電柜

(3)對于某些主電路和輔助電路額定電流比較小的封閉式控制設(shè)備，其功率損耗可使用能產(chǎn)生相同熱量的加熱電阻器來模擬，該電阻器安裝在設(shè)備內(nèi)適當(dāng)?shù)奈恢蒙稀?/p>

連接電阻器的引線截面不應(yīng)導(dǎo)致顯著的熱量傳出外殼。

加熱電阻器試驗(yàn)，對外殼相同的所有控制設(shè)備應(yīng)具有充分的代表性，盡管外殼內(nèi)裝有不同的電器元件，但只要考慮分散系數(shù)后，其內(nèi)裝元件的總功率損耗不超過試驗(yàn)中施加的功率損耗值即可。

內(nèi)裝的電器元件的溫升不得超過規(guī)定值。該溫升也可采用在測量出該電器元件在大氣中的溫升后，再加上外殼內(nèi)部與外部的溫差的方法求得近似值。

(4)變頻柜,軟啟動(dòng)柜只有在采取適合的施試驗(yàn)具有代表性的情況下許對控制設(shè)備的單獨(dú)部件(板、箱、外殼等)進(jìn)行試驗(yàn)。

在各單獨(dú)電路上進(jìn)行溫升試驗(yàn)，應(yīng)采用設(shè)計(jì)所規(guī)定的電流類型和頻率。所用的試驗(yàn)電壓應(yīng)使流過電路的電流等于所規(guī)定的電流值。應(yīng)對繼電器、接觸器、脫扣器等的線圈施加額定電壓。

(5)變頻柜,軟啟動(dòng)柜對于開啟式控制設(shè)備，如果其單個(gè)部件上的型式試驗(yàn)、導(dǎo)體的尺寸以及電器元件的布局明顯不會(huì)出現(xiàn)過高的溫升，也不會(huì)對控制設(shè)備相連接的設(shè)備及相鄰的絕緣材料部件造成損害，則無須進(jìn)行溫升試驗(yàn)。

(6)變頻柜,軟啟動(dòng)柜對出廠試驗(yàn)(PTTA)進(jìn)行溫升極限的驗(yàn)證應(yīng)根據(jù)本節(jié)要求進(jìn)行試驗(yàn)，或用外推法，例如依據(jù)IEC 60890。

(7)變頻柜,軟啟動(dòng)柜環(huán)境條件。

①為防止空氣流動(dòng)和輻射對溫升測量的影響，設(shè)備應(yīng)在正常的通風(fēng)和散熱條件下使用。②在滿足標(biāo)準(zhǔn)的溫升的前提下，試驗(yàn)房間應(yīng)有一定的容積。

③周圍的空氣溫度應(yīng)在10℃~40℃之間。如果環(huán)境溫度超出此范圍，則本標(biāo)準(zhǔn)不適用，制造廠和用戶應(yīng)另行協(xié)商專門的協(xié)議。

變頻柜,軟啟動(dòng)柜試驗(yàn)程序

(1)控制設(shè)備的放置。

控制設(shè)備應(yīng)如同正常使用時(shí)一樣放置，所有覆板都應(yīng)就位。

試驗(yàn)單個(gè)部件或結(jié)構(gòu)部件時(shí)，與其鄰接的部件或結(jié)構(gòu)單元應(yīng)產(chǎn)生與正常使用時(shí)一樣的溫度條件。此時(shí)，可以使用電阻加熱器。

變頻柜,軟啟動(dòng)柜在進(jìn)行溫升試驗(yàn)前，應(yīng)先進(jìn)行通電操作試驗(yàn)。然后對溫升試驗(yàn)的回路通以額定電流(為縮短試驗(yàn)時(shí)間，只要設(shè)備允許，開始試驗(yàn)時(shí)可加大電流，電流提高的數(shù)值一般不超過額定電的1.25 ，然后降到規(guī)定的額定電流值)。這個(gè)電流可以由設(shè)備本身產(chǎn)生，也可由外部低壓電源供給。