《炬豐科技-半導體工藝》拉晶過程的穩(wěn)定性和伺服控制
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》
文章:拉晶過程的穩(wěn)定性和伺服控制
編號:JFKJ-21-073
作者:炬豐科技
介紹
單晶材料的生產(chǎn)是現(xiàn)代世界許多技術(shù)成就的基石。多年來,特別是自大約 40 年前晶體管誕生以來,晶體生長技術(shù)不斷被發(fā)明和完善,以滿足基礎(chǔ)研究和廣泛應(yīng)用的需要。生產(chǎn)方法可分為三類;
- 熔體生長
-從解決方案中成長
- 從氣相生長
在本次演講中,我將討論當今最重要和最廣泛使用的熔體生長技術(shù),即拉晶或直拉法。我認為這種技術(shù)對于聽眾中的每個人都不是很熟悉文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁,因此作為介紹,我將概述拉動過程的主要特征。
1917 年發(fā)表的原始儀器見圖 1。測量錫、鉛和鋅等低熔點金屬的結(jié)晶速度。

(1)使用晶種來確定拉制材料的結(jié)晶方向;
(2)通過使用熔體的溫度控制來控制晶體形狀,即從晶種的直徑增加其直徑;
增長區(qū)的幾何形狀----半月板???略
固有穩(wěn)定性??略
晶徑伺服控制???略
結(jié)語
在本次演講中,我們討論了拉晶過程的核心方面。你們中的一些人可能有這樣的印象:目前的知識和當今的現(xiàn)代設(shè)備,可以毫無困難地實現(xiàn)過程的自動控制。一個相反的例子應(yīng)該作為警告。

該圖顯示了生長的釓鎵石榴石的致命發(fā)展。最初,晶體以有規(guī)律的方式生長,直徑得到很好的控制,突然形成螺旋形。這種奇特的行為被認為是由熔體中的雜質(zhì)引起的,但其機制尚不清楚。很難說晶體生長者在這里只有小問題。
如果想要全面了解直拉過程,熔體中發(fā)生的復雜現(xiàn)象確實具有挑戰(zhàn)性。尤其是對流驅(qū)動的現(xiàn)象會產(chǎn)生各種不良影響,該領(lǐng)域的最新發(fā)展,包括流體流動磁阻尼的應(yīng)用,已經(jīng)表明朝著生產(chǎn)具有完美均勻特性的晶體的最終目標取得了很大進展。??略