書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氮化鎵化學(xué)氣相沉積工藝

編號(hào)：JFKJ-21-070

作者：炬豐科技

抽象的

? 化學(xué)氣相沉積 (CVD) 是沉積13族氮化物 (13-Ns)、AlN、GaN、InN 及其合金薄膜的最重要技術(shù)之一，用于電子設(shè)備應(yīng)用。13-Ns 的標(biāo)準(zhǔn) CVD 化學(xué)使用氨作為氮前體，然而，這導(dǎo)致 CVD 化學(xué)效率低下，迫使 N/13 比率為 100/1 或更高。在這里，我們研究了一個(gè)假設(shè)，即用甲胺中較弱的 NC 鍵代替氨中的 NH 鍵將允許更好的 CVD 化學(xué)，允許較低的 CVD 溫度和改進(jìn)的 N/13 比。量子化學(xué)計(jì)算表明，雖然甲胺具有更活潑的氣相化學(xué)，但氨具有更活潑的表面化學(xué)。使用甲胺的 CVD 實(shí)驗(yàn)未能沉積連續(xù)的薄膜，而是沉積了微米級(jí)的鎵液滴。

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介紹

? 第 13 族氮化物（13-Ns 或 III-Ns）、AlN、GaN、InN 及其合金構(gòu)成了一類(lèi)越來(lái)越重要的半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用領(lǐng)域包括發(fā)光二極管 (LED)、激光二極管、高電子遷移率晶體管 (HEMT) )、射頻 (RF) 設(shè)備和功率晶體管。無(wú)論何種應(yīng)用，用于沉積 13-Ns 薄層的最常用方法之一是化學(xué)氣相沉積 (CVD)，其中通常使用三甲基金屬配合物，其中文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁?M = Al、Ga 或 In）和氨 (NH3) 分別用作第 13 族和氮前體。三甲基鎵 (Ga(CH3)3)/NH3 系統(tǒng)的反應(yīng)途徑已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)和理論上進(jìn)行了較早的研究。????略

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方法

計(jì)算細(xì)節(jié)

? 使用 Gaussian軟件套件進(jìn)行量子化學(xué)計(jì)算. 高精度高斯復(fù)合方法用于計(jì)算氣相分子種類(lèi)，從而能夠推導(dǎo)出分解和加合物反應(yīng)的熱化學(xué)數(shù)據(jù)。雖然 G4 方法適用于較輕的元素對(duì)其性能的經(jīng)驗(yàn)較少，例如鎵。因此，使用耦合聚類(lèi)方法進(jìn)行了額外的計(jì)算以進(jìn)行比較。與計(jì)算的那些相比，G4 方法有點(diǎn)高估了鍵能理論水平。使用 G4 理論水平計(jì)算的加合物形成能，NH3之間形成的加合物，與實(shí)驗(yàn)值非常吻合，混合密度泛函理論 (DFT) ?被用作表面相互作用研究的基礎(chǔ)。對(duì)于表面研究，使用的氫終止模型。研究了簇大小對(duì)吸附能的影響，并在支持信息中進(jìn)行了總結(jié)。????略

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???

實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)?????略

結(jié)果???略