書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：寬禁帶半導(dǎo)體濕法蝕刻GaN、ZnO 和 SiC

編號：JFKJ-21-072

作者：炬豐科技

介紹

? 寬帶隙半導(dǎo)體 GaN、SiC 和 ZnO 對許多新興應(yīng)用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 和單片微波集成電路 (MMIC) 的開發(fā)有望實(shí)現(xiàn)高頻操作。此外，GaN用于紫外波長的光電器件。它具有高擊穿場，是 Si 或 GaAs 的 50 倍以上，因此可用于高功率電子應(yīng)用。GaN 的寬帶隙使其可用于藍(lán)色/紫外發(fā)光二極管 (LED) 和激光二極管 (LD)，并且由于其本征載流子濃度較低，因此可以在非常高的溫度下工作。高電子遷移率和飽和速度使其可用于高速電子設(shè)備。此外，AlGaN/GaN 等異質(zhì)結(jié)構(gòu)允許制造高速器件，例如 HEMT。ZnO 是一種具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的直接寬帶隙材料，可用于氣體傳感器、透明電極、液晶顯示器、太陽能電池、壓電換能器、光電材料器件、藍(lán)光、UV LED文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁和激光二極管。ZnO 對藍(lán)光/紫外 LED 和薄膜晶體管 (TFT) 具有濃厚的興趣。與 GaN 相比，ZnO 具有在廉價(jià)玻璃上相對較低的生長溫度和比 GaN (25meV) 高得多的激發(fā)結(jié)合能 (~ 60meV) 的優(yōu)勢。這意味著 ZnO 在室溫下具有更穩(wěn)定的激子態(tài)，因?yàn)闊崮芗s為 26meV。由于室溫下的熱量或激子之間的散射，ZnO 半導(dǎo)體中的激子不會(huì)分解成自由電子或空穴。此外，還提供商業(yè) ZnO 基板。與 GaN 相比，ZnO 系統(tǒng)還具有更簡單的加工工藝，GaN 無法在安全溫度下在常規(guī)酸混合物中進(jìn)行濕蝕刻。

?

1.碳化硅??略

2.氮化物??略

3.氧化鋅及相關(guān)化合物???略

?結(jié)論

GaN 和 SiC 的濕法蝕刻對于大多數(shù)器件應(yīng)用來說是困難的并且在很大程度上是不切實(shí)際的。在這些情況下，干蝕刻是優(yōu)選的。ZnO 在大多數(shù)酸溶液中很容易被蝕刻，而干蝕刻相對困難。