? 電子級二氧化鈦PT-501具有半導(dǎo)體的性能，是生產(chǎn)多層片式陶瓷電容器(BME-MLCC)、濺射靶材、圓片瓷介電容(DCC)、正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC)、PZT電子陶瓷、陶瓷電容器、傳感器等電介質(zhì)材料的原料。 電子級二氧化鈦PT-501顆粒細(xì)、比表面積大、有高的抗還原性，高的介電常數(shù)和電阻，純度高雜質(zhì)少的特點，它的電導(dǎo)率隨溫度的上升而迅速增加，而且對缺氧也非常敏感。

? 在超大規(guī)模集成電路芯片中，鈦是較為最為常用的阻擋層薄膜材料之一（相 應(yīng)的導(dǎo)電層薄膜材料為鋁）。在先端芯片制造工藝中，鈦靶要與鈦環(huán)件配套使用， 其主要功用是輔助鈦靶完成濺射過程。鈦靶實圖如下：

? 據(jù)此文作者S海元肅化G查閱資料了解，針對電子領(lǐng)域?qū)﹄娮恿悴考呔燃靶⌒突囊?，進(jìn)口鈦白粉PT-501是不僅純度高，而且粒徑小的高純度二氧化鈦，具有優(yōu)越的反應(yīng)性(收縮率)及分散性，廣泛用于以電子材料為主的各種領(lǐng)域。高純度的二氧化鈦目前應(yīng)用范圍很廣，在化學(xué)試劑、醫(yī)藥、食品、化妝品、電子等方面都是重要的化工原料，這些領(lǐng)域常要求二氧化鈦的含量在99%以上。

知識擴(kuò)展：什么是濺射靶材？

超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物 理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。