BTS3410G是集智能SIPMOS技術(shù)制造而成的N溝道垂直功率場效應(yīng)晶體管FET，低壓側(cè)、2路輸出、輸入電壓10V、電流極限7.5A、封裝類型SOIC-8，來自國際品牌英飛凌（Infineon）。接下來重點詳述BTS3410G場效應(yīng)晶體管FET的特性、參數(shù)、應(yīng)用，帶您走進BTS3410G的“世界”！

BTS3410G場效應(yīng)管特性

邏輯電平輸入
自動重啟熱開關(guān)
符合ROHS標準
過載、短路、過電壓、ESD保護
電流限制
模擬驅(qū)動

BTS3410G場效應(yīng)管參數(shù)

Drain source voltage漏源電壓：42V
on-state resistance導通狀態(tài)電阻：200mΩ?
Nominal load current額定負載電流：1.3A
Clamping energy鉗位能量：150mJ
Automobile quality standard汽車質(zhì)量標準：AEC-Q100
Power dissipation功耗：0.8W

BTS3410G場效應(yīng)管應(yīng)用

適用于開關(guān)或線性應(yīng)用中的各種阻性、感性和容性負載；
μC兼容電源開關(guān)，適用于12V DC應(yīng)用；
取代機電繼電器和分立電路

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