【5月18日訊】相信大家都知道，在最近一段時間，美國方面再次拉攏了全球高達(dá)64家科技巨頭，成立了美國當(dāng)?shù)厥讉€芯片技術(shù)聯(lián)盟，或許也是迫于美國政府的壓力，全球很多知名芯片企業(yè)都加入到其中，畢竟“芯片”產(chǎn)品目前被廣泛應(yīng)用于電腦、手機(jī)以及水利、電力等公共設(shè)施和軍事設(shè)備上，所以芯片這一核心技術(shù)，早已經(jīng)成為了一個國家的經(jīng)濟(jì)發(fā)展以及國家安全的命脈，根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，目前全球IT產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌鲆?guī)模高達(dá)10萬億美元，所以我們也可以看到，幾乎每一次爆發(fā)的全球性科技達(dá)產(chǎn)，最終的競爭都落到了芯片技術(shù)本身上，畢竟芯片是整個IT產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，沒有芯片產(chǎn)品，就不會有現(xiàn)在的IT產(chǎn)業(yè)。

在整個芯片產(chǎn)業(yè)鏈中，共分為三大技術(shù)領(lǐng)域，它們分別是芯片設(shè)計(jì)、芯片制造以及芯片封測，而我們在全球芯片大戰(zhàn)中可以看到，最終的技術(shù)競爭都集中在芯片制造技術(shù)上，而在全球芯片制造市場中，臺積電、三星這兩家芯片代工巨頭，幾乎也是壟斷了全球芯片代工市場份額，尤其是在高端7nm工藝、5nm工藝芯片制造技術(shù)上，目前也只有臺積電、三星這兩家巨頭掌握了這一核心技術(shù)，就連美國實(shí)力最強(qiáng)的芯片巨頭，Intel都被遠(yuǎn)遠(yuǎn)地甩在了身后。

就在今年三月份，“千年老二”三星全球首發(fā)了3nm工藝，對外發(fā)布了一款3nm工藝的 SRAM芯片，容量高達(dá)256GB，采用全新的GAAFET晶體管工藝。所以芯片面積只有56平方毫米，可以說這次三星真的在芯片制造工藝上領(lǐng)先臺積電了，因?yàn)檫@次三星采用了最新的GAAFET工藝，而臺積電則表示，在3nm工藝芯片能上會繼續(xù)使用FinFET晶體管工藝。

但就在臺積電、三星官宣了3nm工藝芯片以后，美國又一家科技巨頭正式官宣，它就是IBM，這次IBM同樣也會采用GAAFET晶體管技術(shù)，并且晶體管密度將達(dá)到3.33MTr /mm2（3.3億個每平方毫米），相對于臺積電、三星所公布的3nm工藝芯片產(chǎn)品，無疑技術(shù)也將會更加先進(jìn)。

在面對友商咄咄逼人，全球芯片代工巨頭—臺積電也不甘示弱，直接對外表示，目前臺積電在1nm工藝芯片技術(shù)廠也取得了重大技術(shù)突破，這次臺積電直接聯(lián)合臺大、美國麻省理工學(xué)院合作研究，采用全新的二維材料結(jié)合「半金屬鉍（Bi）」能達(dá)極低電阻，接近量子極限，同時芯片工藝制程技術(shù)也將突破1nm以下制程技術(shù)，成功解決了二維材料高電阻及低電流等問題，可見全球高端芯片市場戰(zhàn)爭才剛剛開始打響，似乎芯片戰(zhàn)爭也成為了全球各國無止境的技術(shù)追求。

最后：針對全球再次掀起一股高端芯片競賽潮一事，各位小伙伴們，你們對此都有什么樣的看法和意見呢？歡迎在評論區(qū)中留言討論，期待你們的精彩評論！